STGWT60H65DFB
STGWT60H65DFB参数
| 安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80A |
| 栅极电荷 | 306nC | 输入类型 | 标准 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650V |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，60A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240A |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 开关能量 | 1.09mJ（开），626µJ（关） |
| 测试条件 | 400V，60A，5 欧姆，15V | 功率 - 最大值 | 375W |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 51ns/160ns | 反向恢复时间 (trr) | 60ns |
STGWT60H65DFB手册
STGWT60H65DFB概述
STGWT60H65DFB 产品概述
STGWT60H65DFB是一款由意法半导体（ST Microelectronics）生产的高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），其具有650V的电压耐受极限和80A的最大集电流，专为高效能开关应用而设计。该产品以TO-3P封装形式提供，适用于要求高功率、优良热管理和快速开关特性的应用场合。
主要特性
高电压和电流承载能力： 该IGBT的集电极到发射极最大电压（Vce）为650V，极大地满足了电源转换、电动机驱动等高电压应用的需求。同时，其最大集电极电流（Ic）可达80A，而在脉冲状态下，瞬时集电极电流可高达240A，适合高负载的开关操作。
卓越的开关特性： STGWT60H65DFB展现出极快的开关速度，具体表现为开关能量分别为1.09mJ（开）和626µJ（关），以及在25°C时的开关延迟时间（Td）为51ns和160ns。这种快速的开关能力使得该IGBT在高频率应用中能够有效减少开关损耗，从而提高整体系统效率。
温度范围和热管理： 工作温度范围宽广，-55°C至175°C的工作范围使其在高温环境下仍能平稳运行。TO-3P封装设计保证了该IGBT具有优良的散热性能，适合用于要求严格的热管理的应用场合。
低状态电压损耗： 在特定条件下（如集中于400V、60A、5Ω和15V的测试条件下），该IGBT的最大导通电压（Vce(on)）仅为2V，这意味着在导通状态下的电压损失较低，从而提高了系统的能效。
反向恢复特性： STGWT60H65DFB还具备优秀的反向恢复特性，其反向恢复时间（trr）仅为60ns，适合用于具有快速变化电流的应用，如高效整流。
应用场景
由于其优越的性能特征，STGWT60H65DFB广泛应用于各类功率电子设备，包括但不限于：
- 电源转换器：在逆变器、直流-直流转换器（DC-DC）、交流-直流转换器（AC-DC）等电源应用中提供高效的开关能力。
- 电动机驱动：在工业电动机控制中，通过高效的开关控制提升电机的效率和响应速度。
- 医疗设备：在需要高电源效率和可靠性的医疗监测及治疗设备中使用。
- 可再生能源：应用于太阳能逆变器和风能转换系统中，以提升系统整体的性能和可靠性。
我们的建议
选择STGWT60H65DFB作为系统设计中的IGBT时，用户需充分考虑自身应用需求，包括电压和电流的峰值，再结合具体的热管理策略，以确保最佳的工作条件。此外，设计过程中应注意IGBT的驱动电路设计，以匹配其输入要求，同时充分利用其快速开关特性。通过科学地设计电路和选择合适的元器件，用户能够达到理想的电源转换效率和系统可靠性。
总而言之，STGWT60H65DFB以其出色的电气特性和优秀的封装设计，是市场上值得信赖的高性能IGBT选项，适用于现代电力电子设备的各类应用。