STF6N62K3

STF6N62K3 产品概述

STF6N62K3 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有卓越的电气特性和高度的可靠性，非常适合需要高电压和中等电流的应用场合。它在多种消费电子、工业控制和电源管理系统中有着广泛的应用，特别是在家电、LED 驱动及开关电源等领域。

基本参数

• 漏源电压 (Vdss): STF6N62K3 的最大漏源电压为 620V，这使得它能够在高电压环境中稳定运行。高电压特性保证了它能够在电源转换、电机驱动等高压应用中安全可靠地工作。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 支持最大连续漏极电流为 5.5A。这一性能使得其在处理较高负载时，依然保持良好的导电性能，适合各种中等负载的电路设计。

导通电阻与驱动电压

• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 2.8A、电压 10V 的条件下，导通电阻为 1.28Ω。较低的导通电阻意味着该器件在工作时的能量损耗更小，有助于提高整体效率和减少发热，适合高效能的电源转换应用。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 它的栅源极阈值电压为 4.5V（在 50µA 条件下），在驱动电压达到 10V 时，能够迅速打开并保持有效导通。这提供了较大的设计灵活性，同时在实现低功耗设计方面发挥了重要作用。

电气特性

• 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 34nC（在 10V 条件下），这使得控制电路对该 MOSFET 的驱动性能得以优化，降低了开关损耗。
• 输入电容 (Ciss): 在 50V 条件下输入电容达到 875pF，这一特性有助于提高开关速度，并减少驱动电路的驱动负担，促进高频操作。

功率和温度特性

• 最大功率耗散: 该器件在环境温度 Ta=25°C 时的最大功率耗散为 30W，这是其设计中非常重要的一点，有助于电路在更高功率下运行而不至于过热。
• 工作温度范围: STF6N62K3 的工作温度可达 150°C，对于需要在高温环境下工作的电子设备尤为重要，这使得它能够在严苛的环境中保持稳定性能。

封装与安装

STF6N62K3 采用了 TO-220FP (TO-220-3) 封装，其通孔安装的设计对于散热处理和PCB设计具有良好的适应性。TO-220 封装在工业和消费电子设备中被广泛应用，便于散热，有利于在产品设计中实现更高的功率处理能力。

应用领域

STF6N62K3 适合应用于以下领域：

• 开关电源（SMPS）
• DC-DC 转换器
• 电机驱动
• LED 驱动电路
• 家用电器控制电路

总结

STF6N62K3 MOSFET 结合了高电压、高电流和低导通电阻的优异特点，适应工业和消费应用的需求。其在高效能电源解决方案中的表现，确保了电路设计的安全性与可靠性。随着对效率和可靠性需求的持续增长，该器件无疑将在未来的电子设计中发挥重要作用。