注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STF18NM80
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.6g
描述 :
场效应管(MOSFET) 40W 800V 17A 1个N沟道 TO-220F
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
12.05按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥12.05
--
100+
￥10.2
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF18NM80参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 17A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 295mΩ @ 8.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 40W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 295 毫欧 @ 8.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2070pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF18NM80手册
STF18NM80概述
STF18NM80 产品概述
STF18NM80是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET，特别设计用于高电压和高功率的应用。这款MOSFET的关键参数包括最大漏源电压（Vdss）为800V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达17A，以及最大功率耗散（Ta=25°C）为40W，具有优秀的热管理能力和承载能力。
关键技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为800V，适用于需要高电压操作的应用场合。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下，STF18NM80支持高达17A的连续漏极电流，显示出良好的卓越承载能力。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V栅源电压和8.5A电流条件下，漏源导通电阻为295mΩ，这一低导通电阻特性帮助提高了电能传输效率，减少了功耗。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅极阈值电压为5V @ 250µA，保证其在低电压条件下也能有效开关。
- 驱动电压: 在最小和最大Rds(on)时，器件的驱动电压为10V，这使得驱动电路的设计更加简便。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V情况下的栅极电荷为70nC，低栅极电荷有助于提升开关效率，减少开关损耗。
- 输入电容（Ciss）: 在50V条件下，STF18NM80的输入电容最大值为2070pF，这一设计改善了开关响应速度。
- 工作温度: 该MOSFET能够在高达150°C的温度下工作，增强了其在严苛环境下的适用性。
封装与安装
STF18NM80采用TO-220-3封装，该封装形式广泛应用于功率器件，便于散热与安装。TO-220封装不仅提供良好的热管理，还适合通孔安装，便于在各种PCB设计中的应用。
应用领域
STF18NM80非常适合用于多个高功率和高电压的应用场景，包括：
- 电源转换：如开关电源（SMPS）、逆变器和高频变换器等，需要处理高电压和高电流的组件。
- 电动机控制：在电动机驱动和控制系统中，MOSFET的快速开关能力和高效能是非常关键的。
- 电源管理：如DC-DC转换器、光伏逆变器等，能够处理高电压电源的高效转换过程。
- 家电设备：在一些家用电器中，例如电热水器、空调等，常需要高温高压电源的转换，STF18NM80非常合适。
结论
STF18NM80作为一款高性能的N沟道MOSFET，凭借其800V的高漏源电压、17A的高电流承载能力、低导通电阻、优良的热性能以及广泛的应用领域，为设计工程师提供了一个强大而可靠的解决方案。其优异的性能特点使得它可用于多种需要高效率和高可靠性的应用，无论是在电源管理、电动机控制、还是其他高功率电路中，均能充分展现其优势，推动了现代电子设备技术的发展。