STF10NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220FP
包装 :
管装
重量 :
2.6g
描述 :
场效应管(MOSFET) 25W 600V 10A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.53按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.53
--
50+
￥2.71
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF10NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF10NM60N手册
STF10NM60N概述
STF10NM60N 产品概述
一、产品简介
STF10NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件专为高功率应用而设计，其具有600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），在各种电力电子设备中广泛应用。STF10NM60N的理想特性以及独特的封装设计使其成为电源转换器、逆变器以及其他高电压、高电流应用的理想选择。
二、关键性能参数
电压和电流特性：
- 漏源电压（Vdss）：600V，适合高压电源设备。
- 连续漏极电流（Id）：10A，确保在高负载情况下的可靠性能。
导通电阻（Rds(on)）：
- 在Vgs=10V和Id=4A下，导通电阻（Rds(on)）最低为550毫欧。这一特性在高频开关电路中提供了显著的功率损耗优势。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：
- 在250µA时，Vgs(th)最大值为4V，使得该器件能够在较低的栅源电压下启动。
栅极电荷（Qg）：
- 在Vgs=10V时，最大栅极电荷为19nC，表明快速开关能力，这有助于提高开关频率并减少开关损耗。
工作温度范围：
- 工作温度范围为-55°C 到 150°C（TJ），适合各种恶劣环境下的应用。
功率耗散：
- 最大功率耗散为25W（Tc=25°C），确保在大功率运行时的稳定性。
三、封装和安装
STF10NM60N采用TO-220FP封装，具有良好的热管理性能，适合于通孔安装。这种封装类型不仅提供高效的散热，还便于与其他元件的集成，常用于动力电源模块和电机驱动电路中。
四、应用领域
STF10NM60N在多个领域中找到了广泛应用，包括但不限于：
- 电源转换：可应用于开关电源、DC-DC变换器，以实现高效率的电能转换。
- 逆变器：在太阳能逆变器和电动机驱动中，STF10NM60N可提供高压和高效率的解决方案。
- 电机控制：用于各种类型的电动机驱动，如步进电机和无刷直流电机（BLDC）等。
- 高频应用：由于其较低的Rds(on)和快速的开关特性，STF10NM60N适合高频率的开关应用。
五、总结
STF10NM60N是一款性能优越、能够满足高电压和高电流要求的N沟道MOSFET。它的低导通电阻、高功率耗散能力以及优秀的开关特性，使其成为电力电子领域中不可或缺的元器件。凭借其稳定的性能和广泛的应用适应性，STF10NM60N已经成为许多高级电源设计和电机控制系统的理想选择。在选择和评估适合具体应用的功率MOSFET时，STF10NM60N无疑是一个值得考虑的动力解决方案。