STD5NK50ZT4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.475g
描述 :
场效应管(MOSFET) 70W 500V 4.4A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
128(起订量1,增量1)
批次 :
5年外数量 :
X
2.51按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.51
--
100+
￥1.93
--
1250+
￥1.67
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2500+
￥1.58
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD5NK50ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 2.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 535pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD5NK50ZT4手册
STD5NK50ZT4概述
STD5NK50ZT4 产品概述
基本信息
STD5NK50ZT4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件在以500V的额定漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id）为基础，适用于各种高电压和高功率应用。该MOSFET采用了DPAK封装，即TO-252-3封装，专为表面贴装设计，便于在现代电子设备中集成和使用。
技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id）: 4.4A @ 25°C
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.5Ω @ 2.2A, 10V
- 最大功率耗散（Pd）: 70W @ Tc
- 驱动电压: 10V (最大 Rds On)
- 栅极电荷（Qg）: 28nC @ 10V
- 最大可承受栅源电压（Vgs(max)）: ±30V
- 输入电容（Ciss）: 535pF @ 25V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: DPAK（TO-252-3）
应用场景
STD5NK50ZT4主要应用于高压开关、电源管理和转换器、电动汽车驱动、电机控制和其他需要高效开关的电路。其优秀的参数使其非常适合用于开关电源（SMPS）、逆变器和各种功率控制应用场合。
该器件的漏源电压500V以及最大功率耗散70W确保了它能够在高负载条件下稳定工作。同时，其较低的导通电阻（Rds(on)）使得在开关过程中产生的功耗较少，从而提高了系统的整体效率。对电源的需求日益增长，尤其是在行业中推进能效标准的背景下，这款MOSFET的高效能为用户提供了更为经济的解决方案。
特性优势
STD5NK50ZT4结合了高电压支持和良好的散热能力，提供了稳定的工作性能。在高温环境下，也能维持较低的阈值电压，使其在多种工作条件下依然具备高效性能。这种特性使得它在可靠性要求高的工业生产过程中广受欢迎。
- 高电压兼容性: 适用于高电压应用，确保工艺所需的电压范畴。
- 低导通电阻: 使得在导通状态下，发热量降低，系统运行更加高效。
- 宽工作温度范围: 确保设备在极端温度条件下依然能够稳定工作，增大了应用范围。
结论
综上所述，STD5NK50ZT4是一款在500V高压环境下能保持良好导电性能的N沟道MOSFET，兼具稳健的功能和高效的热管理，非常适合电动汽车、开关电源、工业控制等用户需求。凭借其强大的技术规格，STD5NK50ZT4帮助设计工程师实现高效、可靠的电源解决方案，是电子设备开发不可或缺的重要元器件。通过利用其独特优势，用户可确保系统性能与效率之间的最佳平衡。