STD3NK80ZT4

产品概述：STD3NK80ZT4

一、基本信息

STD3NK80ZT4 是由知名半导体厂商意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DPAK（TO-252-3）封装，适用于各种电子电路中的开关和放大应用。这款器件专为高压、高效率的电力电子应用而设计，具有出色的热性能和可靠性，能够在恶劣环境下稳定运行。

二、技术规格

• 封装类型：DPAK（TO-252-3），适合表面贴装（SMT）技术。
• 漏源极电压（Vdss）：800V，能够承受高达 800V 的电压，非常适合高压电源应用和工业设备。
• 栅源电压（Vgss）：±30V，这为栅极的控制提供了灵活性，确保在不同工作条件下都能正常驱动。
• 连续漏极电流（Id）：2.5A（Tc），支持较大电流输出，适合应用在功率放大和开关模块中。
• 最大功率耗散：70W，能够在高负载条件下稳定运行，减少器件因过热而损坏的风险。
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适用于严酷的工作环境，如工业控制和汽车电子等领域。

三、性能参数

• 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极电压下，导通电阻最大值为 4.5Ω（在 Id 为 1.25A 时）。这意味着在正常工作条件下，功率损耗较低，能提升整体系统的效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大为 4.5V（@ 50µA），表明该器件可以在较低的栅极电压下开启，提高了开关速度和控制精准度。
• 栅极电荷（Qg）：在 10V 下的最大值为 19nC，表明在开关操作时需要较小的驱动能量，有利于节能和保护驱动电路。
• 输入电容（Ciss）：在 25V 时最大为 485pF，低输入电容有助于提高开关频率，从而使产品在高频应用中表现更佳。

四、应用领域

STD3NK80ZT4 凭借其800V的高耐压和2.5A的电流能力，广泛用于如下应用：

1. 电源管理：适用于AC-DC转换器、DC-DC变换器及UPS等电源模块，特别是在需要高能效和高可靠性的场合。
2. 电机驱动：用于各种电动机的驱动电路，包括步进电机、无刷直流电机（BLDC）等，具有良好的开关特性和热稳定性。
3. 家电产品：在洗衣机、冰箱和空调等家用电器中，作为切换器和功率放大器，帮助实现高能效运行。
4. 汽车电子：汽车电源管理、LED驱动和电机控制等领域均可使用，保证设备在极端环境下的稳定性和安全性。

五、总结

STD3NK80ZT4 N 沟道 MOSFET 结合高电压承受能力、优良的导通特性以及广泛的工作温度范围，使其成为高功率电路设计的理想选择。凭借意法半导体在半导体领域的深厚积累，该器件确保了可靠的电性能和优异的性价比，适合用于现代电子产品的各类应用。无论是在工业、消费电子、还是汽车电子领域，STD3NK80ZT4 都能满足客户对高效、可靠性能的期望。