注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STD13NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.584g
描述 :
场效应管(MOSFET) 90W 600V 11A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
8.09按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥8.09
--
100+
￥6.97
--
1250+
￥6.64
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD13NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 380mΩ @ 5.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 109W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD13NM60N手册
STD13NM60N概述
STD13NM60N 产品概述
一、产品基本信息
STD13NM60N 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，旨在满足高压和大电流应用的需求。该器件具有600V 的漏源电压（Vdss）和11A 的持续漏极电流（Id），使其在工业和消费类电子设备中广泛应用，尤其是在功率转换、马达驱动和开关电源等领域。
二、主要特性
高耐压与大电流能力
- 漏源电压（Vdss）：600V，适用于高电压环境；
- 连续漏极电流（Id）：11A（在 25°C 时），突显其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
低导通电阻
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：380mΩ（@ 5.5A，10V），在低电流条件下仍能保持极低的导通损耗；
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：360 mΩ（@ 5.5A，10V），有效提高了电源转换效率。
优良的开关性能
- 驱动电压：10V，提供良好的栅极驱动能力；
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：5V @ 250µA，允许在较低的栅源电压下实现开启；
- 栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V，确保在高频开关操作下具备快速响应能力。
宽广的工作温度范围
- 可在工作温度高达150°C（TJ）下运行，确保设备在极端环境中的可靠性。
封装与安装类型
- 封装类型：TO-252-3（DPAK），为表面贴装型设计，便于自动化生产及散热管理；
- 供应商封装：DPAK，这种封装形式有助于降低整体系统设计的尺寸，并提高散热性能。
三、应用场景
由于其出色的电气特性，STD13NM60N 广泛应用于许多电源管理和驱动设备中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：在高压和高效能转换中提供可靠的开关能力；
- 驱动电路：用于电动马达、电磁阀、继电器等的驱动，确保系统的稳定与高效率；
- 逆变器：用于太阳能、风能等可再生能源系统中的电力转换；
- 照明控制：广泛应用于LED驱动及照明控制系统中，确保输出的恒定和高效率。
四、技术优势
- 高效率：低的导通电阻和快速的开关特性大幅降低了能耗和热量生成，提升了系统的整体效率。
- 可靠性：在高温和高压环境下的稳定工作性能提升了电路的可靠性与安全性。
- 小型化设计：DPAK 的封装有效减小了电路板空间的需求，使得系统设计更为灵活。
五、总结
STD13NM60N 是一款功能强大的 N 沟道MOSFET，凭借其600V的耐压、11A的持续电流和出色的导通特性，成为许多高性能电源和驱动应用的理想选择。无论是工业控制、消费电子、还是新能源系统，STD13NM60N 都能在保证性能的前提下，帮助设计师实现高效、可靠且紧凑的电路解决方案。