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STB80NF10T4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
1.5g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 100V 80A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.87按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.87
--
100+
￥5.49
--
1000+
￥5.09
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STB80NF10T4参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A(Tc) | 漏源导通电阻 | 15mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 40A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 182nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5500pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
STB80NF10T4手册
STB80NF10T4概述
STB80NF10T4 产品概述
产品名称: STB80NF10T4
类型: N沟道MOSFET
封装类型: D2PAK（TO-263-3）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
一、基本参数
STB80NF10T4是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其主要参数如下：
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V（在250µA流过时）
- 连续漏极电流 (Id): 80A（在25°C时，Tc=25°C）
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 15mΩ（在40A、10V条件下）
- 最大功率耗散: 300W（在Tc条件下）
- 工作温度范围: -55°C至175°C
- 栅极驱动电压 (最大 Rds On，最小 Rds On): 10V
- 栅极电荷 (Qg): 182nC（在10V的条件下）
- 最大Vgs: ±20V
- 输入电容 (Ciss): 5500pF（在25V条件下）
二、性能特点
高电流承载能力: STB80NF10T4能够承载高达80A的连续漏极电流，使其在高功率应用中非常可靠。其低的导通电阻（15mΩ）确保了能有效地减少功耗，从而提高系统的能效。
宽工作温度范围: 该器件的工作温度高达175°C，适用于各类苛刻环境。这使得STB80NF10T4非常适合在汽车电子、高功率开关电源、电机驱动、LED驱动等应用中使用。
高功率处理能力: 最高可承载300W的功率，表明该器件能够处理高负载应用中的瞬时功率需求，增加了运行的安全性和稳定性。
优秀的开关性能: 由于较低的栅极电荷和输入电容，STB80NF10T4具有很快的开关速度，使其在高频率开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
便捷的设计适应性: D2PAK封装的设计不仅有助于有效散热，也为设计师提供了良好的接线灵活性。由于其紧凑型的特性，适用于各种电路板设计，特别是在空间受限的应用场合。
三、应用范围
STB80NF10T4因其卓越的电气性能适合各种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源: 用于高效的功率转换。
- 电机驱动: 在工业控制以及电动车辆中用作电机驱动开关，提供高效控制。
- LED驱动电路: 在灯光控制和调光系统中能够高效地驱动LED。
- 电源管理: 适合用于DC-DC转换器和电源管理IC中的功率开关，帮助实现较低的损耗和较高的效率。
四、总结
STB80NF10T4是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，凭借其出色的性能参数和广泛的应用适应性，成为工程师和设计师们在高功率、快开关速度和高温环境下的理想选择。无论用于传统开关电源，还是在特殊应用如汽车电子及电机控制中，STB80NF10T4都能满足现代电力电子设计的需求，体现了意法半导体在高端电子元器件领域的领先地位。