SQ2389ES-T1_GE3
SQ2389ES-T1_GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.1A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 94mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 94 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 420pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SQ2389ES-T1_GE3手册
SQ2389ES-T1_GE3概述
SQ2389ES-T1_GE3 产品概述
SQ2389ES-T1_GE3是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，专为需要高效能和耐用性的电子应用设计。由知名品牌VISHAY（威世）生产，该器件采用表面贴装型(SMD)的SOT-23-3（TO-236）封装设计，适合于现代电子设备的紧凑布局和高密度要求。
基本参数与特性
漏源电压(Vdss)：SQ2389ES-T1_GE3的最大漏源电压为40V，允许在高电压环境下稳定工作。这一特性使得该MOSFET适合于应用在能源转换、电源管理和高电压电路中。
连续漏极电流(Id)：在25°C的工作条件下，该器件具有4.1A的最大连续漏极电流能力，保证在高负载条件下的可靠性和性能。
栅源极阈值电压(Vgs(th))：产品的栅源极阈值电压为2.5V @ 250µA。这一指标表明SQ2389ES-T1_GE3在较低的栅源电压下即可实现导通，非常适合低电压驱动的应用场景。
漏源导通电阻(Rds(on))：在10V的驱动电压下，该MOSFET的导通电阻为94mΩ @ 10A，表现出优异的导通性能和低能量损耗。这有利于提高整个电路的效率，并降低发热。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为3W（在Tc=25°C时），表明它能够在输出较高功率负载时有效散热和运行。
工作温度范围：SQ2389ES-T1_GE3支持的工作温度范围宽广，从-55°C到175°C。这使得它适用在极端环境和高温应用场景中，对器件的长期稳定性没有负面影响。
栅极电荷(Qg)：该MOSFET的栅极电荷最大值为12nC @ 10V，提示着其在开关操作中的快速响应能力，能够有效降低开关损耗。
输入电容(Ciss)：在20V的条件下，输入电容为420pF，表明该器件在高频操作中具备较好的性能。
应用领域
由于以上卓越的性能，SQ2389ES-T1_GE3广泛应用于各类电子电路中，尤其适合以下几个领域：
- DC-DC转换器：用于高效能电源管理和电能转换，提高整体系统的可靠性和效率。
- 电机驱动：在各种电机驱动控制电路中，能够处理高电流和高电压负载。
- 电源管理IC：作为开关元件，在各类电源管理集成电路中实现高效的开关控制。
- 消费电子产品：在手机、平板电脑等移动设备中用于功率管理，保证低能耗和高效能。
总结
SQ2389ES-T1_GE3是VISHAY推出的一款优秀的P沟道MOSFET，具备40V漏源电压、4.1A连续漏极电流以及低导通电阻的优良特性。其广泛的工作温度范围、高效能和紧凑的SOT-23封装，令其在现代电子应用中成为可靠的选择。凭借其卓越的性能，SQ2389ES-T1_GE3适合于多种高效能系统，满足市场对高性能电子元器件的需求。无论是在消费电子、工业控制，还是在电源管理领域，它都能为工程师提供理想的解决方案。