SPB17N80C3 产品实物图片
SPB17N80C3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SPB17N80C3

商品编码: BM0000283832
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-263-3
包装 : 
编带
重量 : 
1.582g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 227W 800V 17A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
25(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
9.8
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.8
--
100+
¥9.8
--
1000+
¥9.8
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

SPB17N80C3参数

漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)(25°C 时)17A(Tc)
栅源极阈值电压3.9V @ 1mA漏源导通电阻290mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)227W(Tc)类型N沟道

SPB17N80C3手册

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SPB17N80C3概述

SPB17N80C3 产品概述

一、产品简介

SPB17N80C3是一款高性能的N沟道功率场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。该器件专为高电压和高电流应用而设计,具有800V的漏源电压(Vdss)和17A的连续漏极电流(Id @ 25°C时),能够在多种严苛条件下稳定工作。这款MOSFET的封装类型为TO-263-3,方便PCB布局和热管理。

二、关键规格

  • 漏源电压(Vdss):SPB17N80C3的漏源电压高达800V,使其非常适合用于需要高压工作的应用,如逆变器、开关电源和电动机驱动等。
  • 连续漏极电流(Id):该器件在25°C的环境下,连续漏极电流达到17A(Tc),提供足够的电流承载能力,适用于大功率应用。
  • 栅源极阈值电压:栅源极阈值电压为3.9V @ 1mA,确保在低电平驱动下也能迅速开启,降低驱动电压对电路的要求。
  • 漏源导通电阻:在11A、10V条件下,漏源导通电阻为290mΩ,提供优秀的导通性能,从而减少功耗和热量生成,提升整体效率。
  • 最大功率耗散:在环境温度为25°C的情况下,最大功率耗散达到227W(Tc),这表明该器件可以在较高功率的条件下稳定运行。

三、应用领域

SPB17N80C3的设计旨在满足多个行业的需求,广泛应用于以下领域:

  1. 电源转换器:在开关电源和稳压电源应用中,SPB17N80C3能有效地提高开关效率和热管理性能,增加系统的可靠性。

  2. 电动机驱动:由于其高额定电流和电压,该MOSFET非常适合用于电动机驱动电路,可以驱动高功率电动机,满足工业自动化和电动汽车等应用的需求。

  3. 逆变器:在可再生能源系统(如太阳能逆变器)和UPS(不间断电源)中,SPB17N80C3能够有效地处理高压和高功率,从而提高电力转化效率。

  4. 消费电子:在大功率消费电子产品中,如大型音响设备或高性能计算机电源,亦可利用该MOSFET的高性能特点。

四、热管理与安装

由于SPB17N80C3在高负载下可以产生较大的热量,因此在设计电路时需要考虑有效的散热解决方案。TO-263封装设计提供了良好的热传导特性,可以通过适当的散热片或导热垫片有效地实现散热。此外,在PCB布局时,要确保足够的电流通路和散热区域,以防止过热对MOSFET性能的影响。

五、结论

SPB17N80C3是一款性能优异的N沟道MOSFET,具有800V的电压承受能力和17A的电流能力,非常适合高功率和高电压的应用场合。其低导通电阻、高热功率散发能力和优良的热管理特性使其在电源转换器、电动机驱动和逆变器等应用中表现出色。选择SPB17N80C3,您将在稳定性和效率上获得双重保障,助力您的电子产品在市场中脱颖而出。