SIS402DN-T1-GE3
SIS402DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6mΩ @ 19A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.8W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 19A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS402DN-T1-GE3手册
SIS402DN-T1-GE3概述
产品概述：SIS402DN-T1-GE3 MOSFET
一、基本信息
SIS402DN-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用表面贴装型PowerPAK® 1212-8封装。该产品具备高效的电流导通能力及优良的热管理性能，其在广泛的电源管理、电机控制及其他高功率应用中表现优异。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）： 30V
- 连续漏极电流（Id）： 35A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 2.2V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 6mΩ @ 19A, 10V
- 最大功率耗散（Ta = 25°C）： 3.8W
- 工作温度范围： -55°C 至 150°C
- 封装类型： PowerPAK® 1212-8
三、功能特点与应用
高效能与稳定性： SIS402DN-T1-GE3的低漏源导通电阻（6mΩ）和高连续漏极电流（35A）确保其在高负载条件下具有良好的热性能和电流承载能力，从而提高系统的运行效率和稳定性。
宽广的工作温度范围： 该MOSFET能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度区间内稳定工作，特别适用于环境温度变化剧烈和要求高可靠性的工业或汽车等应用。
先进的封装设计： PowerPAK® 1212-8 封装设计不仅优化了散热性能，也方便了表面贴装技术（SMT）应用，使得其在现代电子设备中易于集成与布局。
出色的驱动特性： 本产品具有额定的驱动电压范围（最大 Rds(on) 分别在 4.5V 和 10V），确保其在低电压驱动应用中的可靠性和响应速度。此外，其栅极电荷（Qg）为42nC，有助于提高开关速度，降低驱动功耗。
四、适用应用
SIS402DN-T1-GE3可广泛应用于：
- DC-DC 转换器
- 电源管理系统
- 电机驱动控制
- 开关电源（SMPS）
- LED 驱动
- 逆变器和直流电池管理系统
由于该MOSFET在高频开关及功率转换中的优异表现，广泛应用于各种消费电子、工业控制及电动车辆等领域。
五、总结
VISHAY的SIS402DN-T1-GE3 MOSFET以其卓越的电气性能、细致的封装设计及广泛的应用适用性，使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在要求高效率、稳定性及紧凑型设计的场合，这款MOSFET都能为设计提供强大的支持。无论是新产品开发还是现有设计优化，SIS402DN-T1-GE3都是一个不可或缺的关键元器件。通过结合现代电源控制需求与高可靠性，SIS402DN-T1-GE3将为用户带来更高的设计自由度及产品竞争力。