SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 81.7A（Ta）, 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.58 毫欧 @ 20A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 200nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +16V，-12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10850pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIRA20DP-T1-RE3手册
SIRA20DP-T1-RE3概述
产品概述：SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3是一款高性能的N沟道MOSFET，特别设计用于各种高效能电源管理和开关应用。这款MOSFET的制造商为国际知名的电子元件供应商VISHAY（威世），以其高品质和可靠性而闻名。该器件采用PowerPAK® SO-8封装，适用于表面贴装（SMD）技术，便于快速组装和集成到现代电子电路中。
关键参数与性能
SIRA20DP-T1-RE3的主要电气性能特点之一是其漏源电压（Vdss）为25V，这使其非常适合用于低压到中压的应用场景。其连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下可达到高达81.7A，而在更高的散热条件下（Tc）可达100A，这为大多数高电流应用提供充足的电流处理能力。
该MOSFET的导通电阻（Rds On）在10V驱动电压下为0.58毫欧（@ 20A），这意味着在操作过程中该器件将具有极低的功耗和热量产生，提高了电源的效率和系统的可靠性。重要的是，该器件不仅保留了优秀的电流传输能力，还确保在快速开关过程中保持低的导通损耗。
此外，在Vgs(th)（栅源阈值电压）方面，SIRA20DP-T1-RE3的最大值为2.1V（@ 250µA），这使其在较低的栅源电压下就能够开启，适合与低电压控制信号兼容的应用。
驱动电压与栅极电荷
对于驱动电压，SIRA20DP-T1-RE3在达到最大Rds On时需要最低4.5V，最优的性能在10V时表现最佳。在这个电压下，其栅极电荷（Qg）最大值为200nC（@ 10V），这表明该器件能够在高速开关应用中以较小的驱动功耗进行高效驱动，尤其在高频率或快速切换场合表现出色。
输入电容与频率响应
针对输入 capacitance（Ciss），在10V时，该器件的最大输入电容为10850pF，进一步表明它在开关速度上能够有效处理高频信号，并且在快速切换时保持了良好的稳定性。
散热能力与工作温度范围
在散热方面，SIRA20DP-T1-RE3具备显著的功率耗散能力，在常温下（Ta）可承受6.25W，若在良好的冷却条件下（Tc），该器件的功率耗散能力可达到104W。这使得其在高功率应用中表现优异，能够有效应对严苛的工作环境和负载条件。
该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），确保在极端环境下的可靠操作，适合应用于汽车、通信、工业控制器及其他需要高温工作条件的场合。
总结
VISHAY SIRA20DP-T1-RE3是一个功能强大、适用范围广泛的MOSFET，有着出色的电流处理能力、低导通电阻和高效能的开关性能，非常适合用于电源管理、开关电源（SMPS）、电池驱动设备以及其他涉及高电流和低电压的电子设备。通过其卓越的耐温性能、功率耗散能力和低功耗特性，该器件无疑是高效能应用的理想选择。无论在设计高效率、低功耗的电路时，还是在挑战性环境中都能提供极其稳定的性能，是支撑现代电子产品持续进化的重要基础元件。