注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SIR470DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.131g
描述 :
场效应管(MOSFET) 6.25W；104W 40V 60A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.77按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.77
--
100+
￥3.97
--
750+
￥3.67
--
1500+
￥3.5
--
3000+
￥3.33
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIR470DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2.3mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 6.25W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 155nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5660pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR470DP-T1-GE3手册
SIR470DP-T1-GE3概述
SIR470DP-T1-GE3 产品概述
产品简介
SIR470DP-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由威世 (VISHAY) 公司生产，采用流行的 PowerPAK® SO-8 封装。这种 MOSFET 热设计良好，适合高功率应用，在低导通电阻和高电流承载能力下表现出色。其应用范围广泛，可用于电源管理、逆变器、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的电路。
基本参数
- 漏源电压 (Vdss): 40V
- 连续漏极电流 (Id), 25°C 环境下: 60A
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ 250μA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 2.3mΩ @ 20A，10V
- 最大功率耗散: 6.25W (Ta=25°C)，104W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
结构与封装
SIR470DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有较小的尺寸和低热阻特性，使其能够在高电流和高温环境下稳定工作。其优良的散热性能使得该器件能够长时间承载其最大功率，同时提升系统的整体可靠性。
性能与应用
SIR470DP-T1-GE3 在多个重要参数上展现出优异的性能，尤其是其低导通电阻 (2.3mΩ)，使得电流通过时的能量损耗大幅减少。这使得该 MOSFET 特别适合在开关电源和电动机驱动等场合，进一步提高系统效率并降低发热。同时，最大漏源电压 (40V) 和连续漏极电流 (60A) 的特性使其能够处理较高的瞬态电流，能广泛应用于直接连接至电源的电池管理系统和高功率逆变器。
关键特性
- 高导电性: 低导通电阻的表现在高电流应用中的能量损失极低，适合需高效能的电源应用。
- 宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，保证了在各种极端环境下的稳定性。
- 高散热能力: 可承受高达 104W 的功率，使其可以在高功率密度的应用中有效发挥作用。
- 良好的电气特性: 栅极电荷 (Qg) 的最大值为 155nC @ 10V，使得驱动电路的要求保持在合理的水平，简化了驱动设计。
总结
SIR470DP-T1-GE3 是一款在电源和功率电子行业中具有重要意义的 MOSFET。其高电流处理能力、低导通电阻、高功率耗散能力和宽工作温度范围，使其能够在许多应用场合充分发挥其优势。随着对电子设备功率效率和热管理要求的不断提升，SIR470DP-T1-GE3，凭借出色的性能和灵活的应用能力，成为设计工程师首选的高效开关器件之一。