SIHG73N60E-GE3
SIHG73N60E-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 73A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 36A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 362nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7700pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-247AC |
SIHG73N60E-GE3手册
SIHG73N60E-GE3概述
SIHG73N60E-GE3 产品概述
产品概述
SIHG73N60E-GE3 是一款由威世半导体（Vishay）制造的高性能 N 型通道 MOSFET，采用 TO-247-3 封装设计，具有极高的耐压能力和电流承载能力。这款 MOSFET 主要用于需要高电压和大电流的应用，如电源管理、逆变器、高频开关电源和电机驱动等领域。
主要参数与特性
该器件的最大漏源极击穿电压（Vdss）为 600V，能够在高压环境中安全运行，适合用于变换电源和高压开关电路。此外，SIHG73N60E-GE3 的连续漏极电流（Id）可高达 73A（在特定温度 Tc 下），出色的导电能力使其适合于大功率应用。
MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）在 10V 的栅源电压下，针对 36A 的漏极电流，其最大值为 39 毫欧。这一低导通电阻确保了在运行过程中能保持较低的功耗与发热量，提高了整体电路的效率。同时，器件的输入电容（Ciss）在 100V 时的最大值为 7700pF，表明其具有良好的开关特性，适合快速开关应用。
工作温度与功率处理能力
SIHG73N60E-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明该 MOSFET 能够在严酷的环境条件下稳定工作。同时，器件的最大功率耗散能力为 520W（在 Tc 条件下），使其能够处理较高的功率负荷，适应各种电源转换和控制应用。
栅极驱动要求
该 MOSFET 的栅源电压（Vgss）最大值为 ±30V，驱动电压在其最大 Rds(on) 下要求为 10V，确保能够通过合适的驱动电路实现快速切换和低功耗操作。最大栅极电荷（Qg）为 362nC，使得在高频或高开关速率条件下，能够保持较低的开关损耗。
应用场景
SIHG73N60E-GE3 广泛应用于各种电力电子转换设备中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 逆变器（用于太阳能、UPS 等）
- 电机驱动控制
- 高频开关应用
其在工业自动化、绿色能源转换、电动汽车和家用电器等领域的应用潜力巨大。
封装与安装
该产品采用 TO-247-3 封装，适合通孔安装（THT），方便在多种电路板设计中使用。其设计既有助于热量的快速散发，又便于在高功率应用中保持可靠的连接。
总结
总的来说，SIHG73N60E-GE3 是一款性能卓越、应用广泛的高压 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气特性和良好的热性能，成为电力电子设计师的理想选择。无论是在高功率应用、快速开关电源还是需要高效率的电源管理系统中，该 MOSFET 都能够提供可靠的解决方案。