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SI8425DB-T1-E1
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
4-WLCSP（1.6x1.6）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.1W；2.7W 20V 5.9A 1个P沟道 WLCSP-4(1.6x1.6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.2按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.2
--
100+
￥1.76
--
750+
￥1.57
--
1500+
￥1.48
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI8425DB-T1-E1参数
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，WLCSP | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±10V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2800pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta），2.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 4-WLCSP（1.6x1.6） |
SI8425DB-T1-E1手册
SI8425DB-T1-E1概述
SI8425DB-T1-E1 产品概述
概述
SI8425DB-T1-E1是由威世（VISHAY）制造的一款高性能P沟道MOSFET，采用4-WLCSP（1.6x1.6 mm）封装，具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。产品设计采用先进的MOSFET技术，致力于满足现代电子设备对高效率和高集成度的需求。其低电阻特性和高功率处理能力使其成为多种应用场合的理想选择。
主要参数
- 封装/外壳：4-UFBGA，WLCSP
- FET类型：P沟道
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 栅源电压（Vgss）：±10V
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 驱动电压：最大1.8V，最小4.5V
- 导通电阻（Rds(on)）：最大23毫欧（在4.5V和2A时）
- Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）（最大值）：110nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）：2800pF @ 10V
- 功率耗散能力：最大1.1W（环境温度），最大2.7W（结温）
- 工作温度范围：-55°C到150°C（结温TJ）
性能特点
SI8425DB-T1-E1在多个关键性能指标上表现优异，从而满足高性能电源管理模块的需求。其低的导通电阻意味着在开关过程中能够显著降低功耗，提高整体效率。通过其宽广的栅源极电压范围（±10V），该产品能够在多种驱动条件下稳定工作，适应不同负载和应用需求。
产品的漏源极电压为20V，适合大多数低电压应用，如电池供电设备和低功耗电源管理。该MOSFET在较高的工作温度下同样具备出色的稳定性及一致性，在高速开关时可有效降低热损耗。高达2.7W的功率耗散能力使得其能够用于高效率的功率转换及控制应用。
应用场景
SI8425DB-T1-E1的设计使其适合广泛的应用场景，包括但不限于：
- 电源管理与分配
- 移动设备与消费电子
- 电池供电设备
- 便携式电子设备
- DC-DC 转换器
- LED驱动电路
这种P沟道MOSFET在高频开关条件下的优良表现使其特别适用于现代的开关电源设计，这对于提高电源转换效率及降低能耗至关重要。
小结
总之，SI8425DB-T1-E1是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，采用先进的技术和小型封装，能够满足新一代电子产品对高性能、高集成度的要求。其杰出的电气特性和耐高温能力使其成为各种电源管理应用的理想选择。无论是用于电池供电设备还是工业控制，SI8425DB-T1-E1都将展示出其卓越的性能，为客户提供更多创新的解决方案。