SI7615ADN-T1-GE3

产品概述：SI7615ADN-T1-GE3 P沟道 MOSFET

一、基本信息

SI7615ADN-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的 P沟道场效应管（MOSFET），采用表面贴装型设计，配备了高效能的 PowerPAK® 1212-8 封装。该器件专为优化电源管理、开关电源以及其他高效能电子应用而设计，兼具高导通能力和热性能。

二、产品规格

• 导通电阻 (Rds On)：

  • 在 20A，10V 的条件下，导通电阻最大值为 4.4 毫欧。这一低导通电阻使得 SI7615ADN-T1-GE3 能够在大电流条件下高效工作，减少功耗，提高系统整体效率。

• 漏极电流 (Id)：

  • 该 MOSFET 在 25°C 的工作条件下，具有高达 35A 的连续漏极电流（Id），使其适用于高负载应用。

• 驱动电压 (Vgs)：

  • 驱动电压分为 2.5V 至 10V 的范围，适配多种控制电路需求，保证开关操作的灵活性。

• 输入电容 (Ciss)：

  • 最大输入电容为 5590pF（在 10V 条件下），该指标有助于器件在快速开关应用中实现优异的响应时间。

• 栅极电荷 (Qg)：

  • 在 10V 时，栅极电荷最大值为 183nC，这使得器件在高频应用中具有较小的驱动损耗和快速的开关特性。

• 漏源电压 (Vdss)：

  • 器件的漏源电压达到了 20V，为系统提供了足够的安全余量来应对瞬态电压的冲击。

• 阈值电压 (Vgs(th))：

  • 在 250µA 的条件下，最大阈值电压为 1.5V，确保了在较低的驱动电压下也能保持开关状态。

• 工作温度及功率耗散：

  • 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使得该器件适用于各种极端环境条件下的应用。此外，其功率耗散能力分别为在软壳状态（Ta）下最大 3.7W 和在封装基准条件（Tc）下最大 52W，保证了高效热管理。

三、应用场景

SI7615ADN-T1-GE3 的特性使其适用于广泛的电子应用，包括但不限于：

• 开关电源：在各种 DC-DC 转换器中作为高侧或低侧开关。
• 电池管理系统：在电池的充电和放电过程中优化功率转换，提高能效。
• 电动汽车：在电动驱动系统中实现高效能源管理。
• 工业控制：适用于工业自动化设备中的电机驱动和开关控制。
• 消费电子产品：如用于 LED 驱动、视频显示器和其他小型便携式设备中。

四、总结

SI7615ADN-T1-GE3 是一款性能优异的 P沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和较强的功率承受能力，成为了各种高效能电子应用的理想选择。其高导通能力和优化的热特性确保了在复杂应用环境中的稳定性和可靠性，满足市场对高性能元件的需求。选用 VISHAY 的 SI7615ADN-T1-GE3 将为您的设计提供强大的支持和更高的能效表现。