SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 26A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1735pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 5.2W（Ta），64W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7430DP-T1-GE3手册
SI7430DP-T1-GE3概述
SI7430DP-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI7430DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该器件主要用于高效率的电源管理和开关应用，能够满足广泛的工业、消费电子和汽车电子领域的需求。凭借其优异的电气特性和热特性，SI7430DP-T1-GE3 适合在高压和高电流环境下工作，经常被用于 DC-DC 转换器、电源逆变器及电动机驱动等场合。
二、主要规格
漏源电压 (Vdss): 该器件支持最大 150V 的漏源电压，使其能够应对高电压应用，满足多种电源电路的需求。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，SI7430DP-T1-GE3 能够承载高达 26A 的连续漏极电流，适合大功率输出场合。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 器件的阈值电压为 4.5V（在 250µA 电流下测试），可以实现较低的驱动电压，对于低功耗应用尤为重要。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 5A 和 10V 的条件下，导通电阻最高为 45mΩ，意味着在正常工作条件下功率损耗非常小，具有较高的效率。
最大功率耗散: 在 25°C 下最大功率耗散为 5.2W，在热耦合条件下可达 64W，这使得该器件在高功率应用中的可靠性大大增强。
工作温度范围: SI7430DP-T1-GE3 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，使其适用于各种恶劣的工作环境。
封装类型: 该器件采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合现代紧凑型电路设计。
三、技术优势
SI7430DP-T1-GE3 具备多个技术优势，确保了其在众多应用中的竞争力。
低导通电阻: 较低的导通电阻有助于减少功率损耗，从而提高系统效率。这一点在电力转换器及其他高频开关电源中尤为关键。
高电流和高电压承载能力: 该器件能够支持高达 26A 的电流和 150V 的电压，为设计者提供了设计灵活性，能够满足复杂系统的需求。
宽温度范围: 在多种工作温度下的稳定性使其成为高温环境下可用的重要器件，特别是在汽车和工业应用中表现出色。
快速开关速度: 其输入电容 Ciss 最大值为 1735pF@50V，有助于在面对高频开关时实现快速响应。
四、应用场景
由于其卓越的性能，SI7430DP-T1-GE3 广泛应用于：
电源管理: 在 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器中，该 MOSFET 能够高效地进行开关和稳压处理。
电动机驱动: 在执行器和电动机驱动系统中，SI7430DP-T1-GE3 被用于高电流控制，大大提升驱动效率。
通信设备: 适合用于功率放大器和信号调节器，以及其他涉及开关和放大功能的通信设备中。
五、结论
整体而言，SI7430DP-T1-GE3 是一款全功能的 N 沟道 MOSFET，结合高电压、高电流能力以及功率优化特性，满足各种现代电子设备的需求。不论是在工业、消费电子，还是汽车电子领域，其均表现出色，广受设计师的青睐。对应设计需求，VISHAY（威世）提供的这款器件将为电子系统的可靠性和效率提供有力保障。