SI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A | FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 455pF @ 10V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11nC @ 5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
SI5935CDC-T1-GE3手册
SI5935CDC-T1-GE3概述
SI5935CDC-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI5935CDC-T1-GE3 是 VISHAY（威世）推出的一款高性能、双通道 P 沟道 MOSFET 阵列，具有良好的导通性能和低功耗特性。该元件特别适合用于需要高效率和小尺寸的电子设备中，尤其在功率管理、负载开关和电源转换等应用领域表现优越。
二、技术参数
安装类型: SI5935CDC-T1-GE3 采用表面贴装型（SMD）封装，方便自动化贴片组装，减少生产成本。
导通电阻: 在 3.1A、4.5V 条件下，该 MOSFET 的最大导通电阻仅为 100 毫欧，这使得它在高电流通过时能够保持高效率，降低发热量。
连续漏极电流 (Id): 最大连续漏极电流为 4A，充分满足多种应用情况下对电流的需求。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 11nC（在 Vgs = 5V 下测量），这表示在开关操作时，该器件能够快速响应，有助于提高开关频率和整体效率。
输入电容 (Ciss): 在 Vds = 10V 的条件下，输入电容的最大值为 455pF，这意味着器件在高速开关过程中具备较低的驱动功耗，有助于提升系统性能。
漏源电压 (Vdss): SI5935CDC-T1-GE3 的耐压为 20V，适合多种中低电压应用。
工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围在 -55°C 至 150°C 之间，使其可以在极端环境条件下稳定工作，适用于工业和汽车等高要求应用场景。
封装类型: 采用 1206-8 ChipFET™ 封装，尺寸紧凑，适合薄型和轻量化的电子设计。
三、应用场景
SI5935CDC-T1-GE3 适用于多种电子应用，包括但不限于：
DC-DC 转换器: 本器件低导通电阻和高开关速度，使其成为高效 DC-DC 转换器中的理想选择，能够有效提升转换效率。
负载开关: 作为负载开关，可控制大电流负载，同时保持低功耗和发热，延长产品的使用寿命。
电池管理系统: 由于其优秀的电流控制能力和低功耗特性，该 MOSFET 适合用于电池管理、充电和放电控制。
工业控制: 在工业设备和自动化控制系统中，该 MOSFET 可用作信号放大和开关元件，满足高负载需求。
汽车电子: 该 MOSFET 的广泛工作温度范围和高可靠性使其非常适合汽车电子控制单元，确保各种功能的稳定运行。
四、总结
SI5935CDC-T1-GE3 是一款出色的双通道 P 沟道 MOSFET，其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计，使其成为各类现代电子应用中不可或缺的元件之一。无论是用于高效能的电源解决方案，还是复杂的工业控制系统，SI5935CDC-T1-GE3 都能为设计师提供灵活性和可靠性，助力开发高性能电子产品。