SI4848DY-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.5g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 150V 2.7A 1个N沟道 SOP-8
库存 :
22927(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.87按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.87
--
100+
￥2.2
--
1250+
￥1.92
--
2500+
￥1.81
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4848DY-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.7A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA(最小) | 漏源导通电阻 | 85mΩ @ 3.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4848DY-T1-E3手册
SI4848DY-T1-E3概述
SI4848DY-T1-E3 产品概述
产品简介
SI4848DY-T1-E3 是一种高性能的 N沟道 MOSFET，广泛应用于各种电源管理与开关电路中。本产品由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品，具有出色的电气特性和热性能，能够满足高压高效率的应用需求。
技术参数
SI4848DY-T1-E3 的关键技术参数包括：
- 漏源电压 (Vdss): 150V
- 连续漏极电流 (Id): 2.7A（在25°C的环境温度下）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最小 2V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 最大 85mΩ @ 3.5A, 10V
- 最大功率耗散: 1.5W（在25°C环境下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 驱动电压范围: 最大 Rds(on) 驱动电压为 6V，最小为 10V
- 栅极电荷 (Qg): 最大 21nC @ 10V
- Vgs 绝对最大值: ±20V
- 封装类型: 8-SO （小型化表面贴装封装，封装尺寸为 0.154", 3.90mm 宽）
应用场景
由于其卓越的电气性能，SI4848DY-T1-E3 MOSFET 在多个应用场合中表现出色。它通常被用于以下领域：
- 电源管理：适合用于 DC-DC 转换器、开关电源等设备中，可以实现高效的电能转换，降低能耗。
- 马达驱动：在电动机驱动电路中的开关应用，提供高效率和高电流的驱动能力。
- 信号开关：用于精密的信号调节与开关，对低电平信号的准确控制。
- 整流电路：在整流应用中可用作高效整流器，以确保较低的导通损耗。
产品特点
SI4848DY-T1-E3 的设计特性使其具备了多种优越的性能：
- 低导通电阻：其 Rds(on) 仅为 85mΩ，这确保了在高电流应用中产生的热量最小化，有助于提高总体效率。
- 高温稳定性：适用于严苛环境，可在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定工作，保证了在高温条件下的良好性能。
- 小型化封装：采用 8-SO 封装设计，使其在PCB布局上更具灵活性，便于集成在各种小型电子产品中。
结论
SI4848DY-T1-E3 是一款功能强大、性能卓越的 N沟道 MOSFET，非常适合电源管理和开关应用。凭借其低导通电阻和高工作温度范围，该产品能满足现代电子设备对能效和稳定性的严苛要求。无论是对于电源设计工程师还是制造商，选择 SI4848DY-T1-E3 都能在实现高效率电源转换和设备可靠性上带来显著优势。
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