SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI4804CDY-T1-GE3是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），由Vishay（威世）公司生产，适用于高频和高效能的电子设备。这款器件采用了8-SOIC封装，具有出色的电气特性和热性能，设计用于满足现代电子产品对功率管理和信号放大等多种应用需求。

关键参数

SI4804CDY-T1-GE3的主要特点包括：

• 封装类型: 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽），使其在空间受限的应用中也能便于焊接和布线。
• 漏源极电压（Vdss）: 最高可达30V，让该器件能够在多种电压环境中稳定运行。
• 高连续漏极电流（Id）: 在25°C时，最大连续漏极电流为8A，确保在处理大电流时的可靠性。
• 低导通电阻（Rds(on)）: 在7.5A和10V下，最大导通电阻为22毫欧，降低了功率损耗并提高了设备的整体效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最高可达2.4V @ 250µA的阈值电压，适用于低电压驱动应用。
• 栅极电荷（Qg）: 在10V时的最大栅极电荷为23nC，提供了良好的开关特性，适合高频开关电源。
• 输入电容（Ciss）: 在15V时的最大输入电容为865pF，影响开关速度和反应时间，适合高效能应用。
• 最大功率: 3.1W的功率处理能力，使其适用于多种功率管理场景。

应用领域

SI4804CDY-T1-GE3广泛应用于多种电子设计中，尤其是以下几种典型应用场景：

• 电源管理: 适用于DC-DC转换器、开关电源及电池管理系统，在这些应用中，MOSFET的高效开关能力可以显著提高系统效率。
• 电机驱动: 可用于无刷直流电机（BLDC）驱动电路，以实现高效能和低噪音的电机控制。
• 信号放大: 在音频及视频信号放大电路中，该器件能够提供低失真和高线性放大。
• 负载开关: 在低电压应用中，可以用作负载开关，以提供高可靠性的开关和控制。
• LED驱动: 在LED照明和显示设备中，MOSFET的功率控制特性可帮助实现更好的亮度控制和能效。

环境适应性

SI4804CDY-T1-GE3的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端环境下正常工作，适合用于军事、航空航天及工业控制等严苛环境的电子产品。这种高的耐温能力也提高了器件的可靠性，使其在高温或波动的工作条件下保持稳定性能。

总结

SI4804CDY-T1-GE3是一款性能优异、功能全面的双N沟道MOSFET，适用于各种现代电子设备。其出色的小型化封装、低导通电阻、广泛的应用领域和优越的环境适应性，使其成为电源管理、负载开关及电机驱动等应用中理想的选择。随着电子技术的不断发展和应用的日益多元化，选择SI4804CDY-T1-GE3将为设计人员提供更灵活、高效和可靠的解决方案，从而推动新产品的成功开发和市场应用。