SI4435DDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；5W 30V 11.4A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
29245(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.13按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.13
--
100+
￥0.866
--
1250+
￥0.733
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4435DDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11.4A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 24mΩ @ 9.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 9.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4435DDY-T1-GE3手册
SI4435DDY-T1-GE3概述
SI4435DDY-T1-GE3 产品概述
SI4435DDY-T1-GE3是一款由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）生产的高性能P沟道MOSFET（场效应管），旨在为多种应用提供高效的电源管理解决方案。其设计紧凑，适用于各种集成电路中，特别适合需要高电流和高电压控制的场合。本文将详细介绍其技术规格、特性及应用场景。
一、技术规格与参数
SI4435DDY-T1-GE3的主要电气特性包括：
- 漏源电压（Vdss）：30V，这是该MOSFET能够承受的最高漏极与源极之间的电压。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，该器件可以支持最大11.4A的连续漏极电流，确保在高负载条件下的稳定工作。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V（最大值为3V @ 250µA），表明该器件在较低的栅源电压下即可导通，增强了电路的灵活性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在9.1A和10V条件下，导通电阻为24mΩ，意味着在导通状态下，器件能够提供低损耗，进而提高效率。
- 栅极电荷（Qg）：在10V时达到50nC，低栅极电荷有助于提高开关速度，适合高频应用。
- 功率耗散：在环境温度为25°C的条件下最大功率耗散为2.5W，而在结温下的最大功率耗散可达5W，满足不同的散热需求。
- 工作温度范围：-55°C至150°C，确保在极端温度环境下的可靠操作。
二、封装与安装
SI4435DDY-T1-GE3采用8-SOIC（Small Outline Integrated Circuit）封装，具有优异的抗震性和抗温性。表面贴装（SMD）设计使其易于集成到现代电子电路板中，特别是在空间受限的应用中。
三、应用领域
由于其高电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围，SI4435DDY-T1-GE3适用于以下多种应用：
- 电源管理：在开关电源、电池管理系统等领域，可以用作开关元件，提供高效的电能转换。
- 电动机控制：能够控制直流电动机，广泛应用于电动工具、电动车辆及家用电器等。
- 负载开关：在负载控制系统中，SI4435DDY-T1-GE3可以用作开关，以管理负载的启停。
- LED驱动：在LED照明系统中，作为开关调光控制，提供高效的电源管理。
四、总结
SI4435DDY-T1-GE3是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，其设计在满足高性能需求的同时，兼顾了热管理和电源效率。广泛适用于电源管理、电机控制和负载开关等领域，成为现代电子设计中不可或缺的一部分。通过在各种应用中的可靠表现，SI4435DDY-T1-GE3为产品的性能提升和系统的能效优化提供了有力支持，因此无论是工程师还是开发者，均值其为设计提供极具价值的选择。