SI4430BDY-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.6W 30V 14A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.38按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.38
--
100+
￥2.81
--
1250+
￥2.57
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4430BDY-T1-E3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4430BDY-T1-E3手册
SI4430BDY-T1-E3概述
产品概述: SI4430BDY-T1-E3
概述
SI4430BDY-T1-E3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），该器件专为需要高效率和高可靠性的应用而设计。其封装标准为 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽），使其非常适合表面贴装（SMT）技术，从而简化了集成电路的设计与制造过程。
主要特性
- 高漏源极电压: SI4430BDY-T1-E3 具有最大漏源极电压 V_DSS 为 30V，能满足多种中低压应用的需求。
- 高电流承载能力: 在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 能够承载连续漏极电流 I_D 达到 14A，适应较高功率负载的应用场景。
- 有效的导通电阻: 器件在 10V 的栅源电压下，导通电阻 R_DS(on) 的最大值仅为 4.5 毫欧，在 20A 电流下表现尤为出色，这意味着在工作时能够有效减少功耗和热量，提高整体效率。
- 宽工作温度范围: 封装设计允许其在 -55°C 至 150°C 的极端温度范围内可靠工作，使其适合用于各种苛刻环境应用，包括工业、汽车及航空航天等领域。
- 高频性能: 器件的栅极电荷（Q_g）值为 36nC，在 4.5V 栅源电压下，表明其在高频开关操作中的良好性能，适合用于开关电源及其他快速转换的应用。
- 栅源极电压的灵活性: SI4430BDY-T1-E3 的栅源极电压 V_GSS 可达 ±20V，为电路设计提供了更大的灵活性，便于集成在各种控制电路中。
应用场景
- 开关电源: 由于其低导通电阻和高电流容量，该 MOSFET 适合用于 DC-DC 转换器等开关电源设计，优化能效，并能减少热损耗，提升系统稳定性。
- 电机控制: SI4430BDY-T1-E3 能够在电机驱动应用中提供高效率的开关控制，特别是在灌装和输送等工业自动化领域。
- 汽车电子: 该器件的工作温度范围使其适合用于汽车电子设备，包括 LED 驾驶灯、动力管理系统等，为汽车电气系统提供高效稳定的支持。
- 便携式设备: 由于其紧凑的封装和高效能特性，SI4430BDY-T1-E3 适合于手机、平板电脑等便携式设备的电源管理和信号调理应用。
结论
SI4430BDY-T1-E3 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其高效能、高电流承载能力和广泛的工作温度范围，适用于多种电子应用。无论是在能源管理还是在高温环境下的控制系统中，SI4430BDY-T1-E3 都能提供卓越的性能和可靠性，是现代电子设计中不可或缺的元件之一。其优异的技术规格和高集成度使其成为提升电子设备性能的理想解决方案。选择 SI4430BDY-T1-E3 将有助于电子工程师在产品开发中实现更高的设计灵活性和更佳的性能表现。