SI3456DDV-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
6-TSOP
包装 :
编带
重量 :
0.07g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.7W 30V 6.3A 1个N沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
123(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.819按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.819
--
200+
￥0.565
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1500+
￥0.514
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3000+
￥0.48
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI3456DDV-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.7W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 325pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），2.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
SI3456DDV-T1-GE3手册
SI3456DDV-T1-GE3概述
SI3456DDV-T1-GE3 产品概述
产品名称: SI3456DDV-T1-GE3
类型: N沟道MOSFET
制造商: VISHAY（威世）
封装类型: SOT-23-6 (6-TSOP)
一、基本参数
SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能的小型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 6.3A（在25°C下，Tc测得）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 40 mΩ @ 5A, 10V
- 最大功率耗散: 2.7W（Tc）; 1.7W（Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
二、技术特点
导通性能优越: SI3456DDV-T1-GE3具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在较小的功率损耗下提供高电流，通过控制栅电压（Vgs）可显著提高导通性能。对于Vgs=10V时的最大导通电阻为40mΩ，当电流为5A时，可以有效降低系统的发热量。
高温度适应能力: 该产品的工作温度范围广，适应-55°C至150°C的环境，使得它在恶劣环境下稳定工作，适用性极强。高温能力使其在航空航天、汽车电子等高要求应用场景里表现出色。
低栅极电荷和快速开关特性: SI3456DDV-T1-GE3在10V下的栅极电荷为9nC，具有较低的栅极驱动需求，促进更快的开关速度，降低开关损耗。这对于高频电源和电机驱动应用尤为重要。
兼容性: 该MOSFET的驱动电压可在4.5V到10V之间变化，适配多种控制电路，增强了系统设计灵活性。
三、应用领域
由于SI3456DDV-T1-GE3突出的性能特点，它可广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在DC-DC转换器、高级电源模块中，发挥关键的开关作用。
- 电机驱动: 可作为电机驭动器的关键组成部分，提高驱动效率。
- 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围，适合用于汽车的功率管理系统，如LED照明、车载充电设备等。
- 消费电子: 可用于智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品的电源管理。
四、总结
总体来看，SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能、高效率的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高负载电流能力、宽广的工作温度范围以及快速的开关响应，成为了现代电子设备电源管理及驱动应用的理想选择。VISHAY作为业界知名的电子元器件制造商，其产品在技术可靠性和性能表现上都得到了广泛认可，为设计师提供了更多创新应用的可能性。选择SI3456DDV-T1-GE3，不仅能增强系统性能，还能提高设计灵活性和产品竞争力。