SI2371EDS-T1-GE3
SI2371EDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.8A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 3.7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 3.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2371EDS-T1-GE3手册
SI2371EDS-T1-GE3概述
SI2371EDS-T1-GE3 产品概述
概述
SI2371EDS-T1-GE3 是 VISHAY（威世）推出的一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计用于广泛的电子应用，包括电源管理、开关电源电路和负载开关等领域。凭借其低漏源导通电阻、广泛的工作温度范围和高的电流承载能力，SI2371EDS-T1-GE3 是设计师在选择合适的MOSFET时的理想选择。
关键参数
漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为30V，适合各种低压应用。
连续漏极电流 (Id): 该MOSFET在25°C环境下的连续漏极电流为4.8A，支持高功率需求的应用。
导通电阻 (Rds(on)): SI2371EDS-T1-GE3 的漏源导通电阻为45mΩ（在3.7A、10V时），这意味着其在开关状态下的能量损耗相对较低，能够提高整体系统的效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 其栅源极阈值电压为1.5V（在250µA时），允许在较低的栅电压下启动，从而可实现低功耗特性。
最大功率耗散: 器件可以在环境温度25°C下承受1W的功率耗散，而在晶体管结温情况下（Tc）可承受最大1.7W，确保器件在高负载条件下不会过热。
工作温度范围: SI2371EDS-T1-GE3 的工作温度范围为-55°C到150°C，适应多种恶劣工作环境，使得其在各种工业和汽车应用中表现出色。
栅极电荷 (Qg): 在10V时，栅极电荷为35nC，这使得器件在驱动时具有较快的开关速度，有助于提高整体的回路效率和响应时间。
封装类型: 作为表面贴装型器件，SI2371EDS-T1-GE3 采用的是 SOT-23（TO-236-3、SC-59 也适用）封装，具有较小的尺寸和体积，适合现代小型电子产品的设计需求。
应用场景
SI2371EDS-T1-GE3 适用于多种应用场景，如：
- 电源管理: 由于其速度快和导通电阻低，SI2371EDS-T1-GE3 可以有效管理电源开关和稳压电源。
- 负载开关: 适合用于低压负载开关应用，可以在不同负载下提供可靠的开关控制。
- 电机驱动器: 在直流电机和步进电机的驱动电路中，利用其高电流承载能力和低热损耗，可以实现高效控制。
- 汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围，该器件适用于汽车电子的各种模块和系统中。
总结
VISHAY 的 SI2371EDS-T1-GE3 是一款集高性能与良好可靠性于一体的 P沟道 MOSFET，凭借其出色的电气性能、优异的热管理能力以及广泛的应用兼容性，成为了现代电子设备设计中不可或缺的一部分。设计师可以利用这款 MOSFET 来实现高效能的电源管理和负载控制方案，使得电子产品在性能和可靠性上达到新的高度。