漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2.5A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 78mΩ @ 3.2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 750mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 78 毫欧 @ 3.2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 380pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 750mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品概述:SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3是一款先进的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由VISHAY(威世)品牌制造,采用了紧凑型SOT-23-3(TO-236)封装。该器件为电子产品提供了高效的开关控制,适用于各种低功耗应用场合,如便携式电子设备、功率管理与转换模块等。
SI2307BDS-T1-E3的主要性能参数体现在其电气特性与热性能上:
SI2307BDS-T1-E3具有多种优越的特性,适合广泛的应用:
由于其可靠的性能和小巧的封装,SI2307BDS-T1-E3被广泛应用于如下领域:
SI2307BDS-T1-E3是一款高性能的P沟道MOSFET,结合了优越的电气属性和良好的热特性,非常适合现代电子设计需求。无论是用于电源管理还是其他低功耗应用,它都能提供稳定的性能支持。通过选用SI2307BDS-T1-E3,设计人员可以确保在许多不同的应用中实现高效能和可靠性。VISHAY品牌的品质保证和该器件的先进设计,使其成为电子行业中的理想选择。