SI2306BDS-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 750mW 30V 3.16A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
61626(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.48按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.48
--
100+
￥1.14
--
750+
￥0.948
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1500+
￥0.862
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2306BDS-T1-E3参数
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 305pF @ 15V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| FET 类型 | N 通道 | 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.5nC @ 5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 47 毫欧 @ 3.5A，10V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.16A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SI2306BDS-T1-E3手册
SI2306BDS-T1-E3概述
产品概述：SI2306BDS-T1-E3
1. 基本信息
SI2306BDS-T1-E3 是由知名电子组件制造商 VISHAY（威世）推出的一款 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其结构封装为 SOT-23-3（TO-236），专门设计用于各种低电压和中功率应用。该器件在为用户提供高效能的同时，还具备优异的热管理性能和可靠的开关效率，成为现代电子电路中的重要选择。
2. 电气特性
SI2306BDS-T1-E3 的主要电气参数包括：
- 漏源极电压（Vdss）：最高可承受30V的漏源极电压，使其能够满足大部分电源管理及开关应用的需求。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，器件的最大连续漏极电流为3.16A，满足大多数消费电子产品和工业设备的使用需求。
- 栅源电压（Vgss）：器件允许的栅源电压范围为±20V，提供了设计灵活性。
- 功率耗散（Pd）：器件的最大功率耗散为750mW，确保在应用中的热管理，避免过热和性能下降。
- 输入电容（Ciss）：在15V时，最大输入电容值为305pF，表现出了良好的开关特性。
3. 开关特性
SI2306BDS-T1-E3 具备非常低的导通电阻，最大值可低至47毫欧（在3.5A，10V的条件下），这使得器件在运行时能有效且低损耗地传导电流，减少了功耗及热量生成，提升了系统的整体效率。
此外，门极电荷（Qg）在5V时的最大值为4.5nC，确保器件的快速开启与关闭，非常适合于高频开关应用。结合极低的开关损耗，SI2306BDS-T1-E3成为了需求快速开关性能电子线路的理想选择。
4. 工作温度范围
该款MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适合于严苛环境下的应用，如汽车电子、工业控制和航空航天设备等。
5. 应用领域
SI2306BDS-T1-E3广泛应用于以下几种场合：
- 电源管理：适用于DC-DC转换器、蓄电池充电器等电源管理电路。
- 电机控制：在电机驱动及调节电流的应用中表现出色。
- 负载开关：用于低功率开关和控制电路，能够有效管理电流的导通与关断。
- 保护电路：在短路保护或过流保护电路中使用，以确保电路的安全。
6. 设计便利性与产业支持
如同威世的其它产品系列，SI2306BDS-T1-E3可通过成熟的电子元件分销渠道获得，并且得到了广泛的厂家支持。许多在线设计资源和应用笔记可以帮助工程师更好地利用这款 MOSFET，更快地实现设计并投入生产。
7. 总结
SI2306BDS-T1-E3 是一款功能强大、性能优越的 N 通道 MOSFET，适合各种要求快速开关和高导性能的电子设计。凭借其高耐压、低导通电阻及宽工作温度范围，SI2306BDS-T1-E3 在现代电子产品中，该产品充分体现了半导体技术的进步，满足高效能和环保的设计需求，是工程师们的理想选择。