SI2304BDS-T1-GE3
SI2304BDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.2A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 70mΩ @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 750mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 225pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2304BDS-T1-GE3手册
SI2304BDS-T1-GE3概述
SI2304BDS-T1-GE3 产品概述
产品名称：SI2304BDS-T1-GE3
类型：N通道MOSFET
品牌：VISHAY（威世）
封装：SOT-23-3（TO-236）
应用领域：广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动和高频开关等领域。
基本参数
SI2304BDS-T1-GE3是一款高效能的N通道MOSFET，其主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下为3.2A，满足了多种应用场景的需求，尤其是需要高电流处理的场合。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA，确保在较低的驱动电压下即可启用工作。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：70mΩ @ 2.5A, 10V，为降低功率损耗、提升效率提供了有力支持。
- 最大功率耗散：750mW（Ta = 25°C），适合高密度的电路设计。
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，使其能够在极端环境条件下工作，增加了其应用的灵活性。
结构与特点
SI2304BDS-T1-GE3采用SOT-23封装，具有较小的体积和较低的安装空间需求，非常适合现代小型电子设备的设计。其MOSFET技术（金属氧化物半导体场效应晶体管）使得其具有良好的控制能力和高效的开关特性，这对于节能和热管理至关重要。
性能分析
漏源电压与持续电流：最大漏源电压为30V，能够满足大多数低压应用的需求；同时，在25°C时，能承受高达3.2A的电流，适用于驱动小型电机和作为开关控制器。
导通电阻：70mΩ的导通电阻可有效降低在高负载情况下的功耗，确保系统在高效率运行的同时减小产生的热量，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
门极阈值电压：3V的门极阈值为设备提供了良好的驱动灵活性，在一定程度上能兼容多个控制信号电压水平，进一步增强其适应性。
栅极电荷：4nC的栅极电荷在开关操作时，提供了快速的响应能力，尤其适合高频率的开关应用，提高设计的整体响应性能。
耐温范围：从-55°C到150°C的广泛工作温度范围，使得SI2304BDS-T1-GE3可以在各种工况下稳定运作，适合于汽车、工业和消费电子等领域。
应用场景
由于其优异的性能，SI2304BDS-T1-GE3被广泛应用于：
- 电源管理, 包括DC-DC转换器和线性稳压器。
- 开关电源，通过高效的开关控制提高整体能效。
- 马达驱动，适用于小功率直流电机的控制。
- 电子开关，在各种控制电路中作为开关器件。
总结
SI2304BDS-T1-GE3是一款具备广泛应用前景的N通道MOSFET器件，其出色的电气特性和高效能使其在当今的电子设计中成为不可或缺的组成部分。在电源管理、电动驱动以及高频开关等多个领域均能实现良好的性能，满足设计师对于高效率、低功耗和小型化的需求。VISHAY的工艺保证了该器件的可靠性和稳定性，使其成为现代电子产品的理想选择。