SI1034X-T1-GE3
SI1034X-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | FET类型 | 2个N沟道（双） |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.75nC @ 4.5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | SC-89-6 |
SI1034X-T1-GE3手册
SI1034X-T1-GE3概述
SI1034X-T1-GE3 产品概述
SI1034X-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司提供的双 N-通道 MOSFET，采用先进的表面贴装(SMT)技术，封装形式为 SC-89-6。该器件特别设计用于低电压和低功耗的应用场合，具备优越的电气性能和可靠的工作能力，使其成为现代电子设备中不可或缺的元件。
关键技术参数
漏源极电压（Vdss）： SI1034X-T1-GE3 的漏源极最大电压为 20V，适合用于许多中低电压的应用场景，包括便携式电子设备和嵌入式系统。
连续漏极电流（Id）： 器件在 25°C 时的最大连续漏极电流可达 180mA，能够满足大多数小型功率应用的需求。
导通电阻（Rds(on)）： 在不同的漏极电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 下，该器件的最大导通电阻为 5Ω（在 200mA、4.5V 时测得），极大地减少了在开启状态下的功率损耗。
阈值电压 (Vgs(th))： SI1034X-T1-GE3 的阈值电压最高为 1.2V（在 250µA 时）。这一特性允许其在低电平逻辑控制下被有效驱动，为低功耗设计提供了更多的灵活性。
栅极电荷 (Qg)： 栅极电荷为 0.75nC，这意味着器件的开关速度相对较快，非常适合高频开关应用，是高效电源管理和信号调理用途的理想选择。
功率处理能力： 该 MOSFET 的最大功率达到 250mW，保证其在各种工作条件下稳定运行。
工作温度范围： SI1034X-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其适用于广泛的工业和环境应用，保障了在极端条件下的可靠性。
应用领域
由于其众多优越的特性，SI1034X-T1-GE3 被广泛应用于以下几种场景：
便携式设备： 该器件适用于移动电话、平板电脑和其他消费电子产品，能够高效地进行电源开关控制，从而延长电池寿命。
电源管理： 在电源模块和DC-DC转换器中使用SI1034X-T1-GE3可以大幅提升转换效率，减少发热，从而提升系统稳定性。
汽车电子： 由于其广泛的温度适应性和优秀的电气参数，这款器件适用于汽车照明、功率控制模块和其他汽车电子设备。
工业控制： 该 MOSFET 适用于各种工业控制电路，包括电机驱动、传感器信号调理等，提供出色的性能保证。
总结
SI1034X-T1-GE3 是一款优秀的双 N-通道 MOSFET，结合了高性能和出色的可集成性，非常适合需要高效的射频开关和电源管理的应用。其优良的电气特性和广泛的应用范围，使其成为设计人员在选择小型器件时的理想选择。VISHAY 通过这款器件为用户提供了高可靠性和高效率的解决方案，充分满足了现代电子产品快速发展的需求。