S34ML01G200BHI000
S34ML01G200BHI000参数
| 存储器构架(格式) | FLASH | 存储器接口类型 | Parallel |
| 存储器容量 | 1Gb (128M x 8) | 工作电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 存储器类型 | Non-Volatile | 存储器格式 | 闪存 |
| 技术 | 闪存 - NAND | 存储容量 | 1Gb（128M x 8） |
| 存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字，页 | 25ns |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 63-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 63-BGA（11x9） |
S34ML01G200BHI000手册
S34ML01G200BHI000概述
S34ML01G200BHI000 产品概述
产品简介
S34ML01G200BHI000 是由赛普拉斯公司（Cypress Semiconductor）推出的一款高性能 NAND Flash 存储器，采用 63-BGA（11x9 mm）封装，具有 1Gb（128M x 8）的存储容量。这款非易失性存储器广泛应用于需要高速数据存取的电子产品中，适合各种工业和消费类电子设备的应用场景。其设计的特点是可靠的性能和广泛的工作温度范围，使其成为高要求工业应用的理想选择。
主要参数
- 存储器构架：Flash
- 存储器类型：NAND Flash，采用 Non-Volatile 非易失性存储技术
- 存储器容量：1Gb (128M x 8)
- 存储器接口类型：Parallel 接口
- 工作电压范围：2.7V ~ 3.6V
- 写周期时间：页写入时间为 25ns
- 工作温度范围：-40°C ~ +85°C
- 封装类型：表面贴装型，63-VFBGA（11x9 mm）
特点与优势
高速性能：S34ML01G200BHI000 的写周期时间高达 25ns，意味着它能够快速且高效地进行数据读写。这一特性使其在需要快速数据读取和写入的应用中表现出色，特别是在快速启动和数据缓存等场合。
广泛的工作电压：该芯片支持 2.7V 到 3.6V 的工作电压，使其适应多种电源设计，增强了系统的灵活性。用户可以在设计电路时，根据应用需求选择合适的供电方案。
抗恶劣环境：S34ML01G200BHI000 广泛的工作温度范围（-40°C ~ +85°C）确保其在恶劣环境中依然能够稳定运行，适合工业、汽车和其他需在极端温度条件下工作的设备。
高可靠性：作为非易失性存储器，S34ML01G200BHI000 保证了在掉电或系统故障时数据不丢失。其设计和制造工艺确保了产品的长期稳定性和可靠性，特别适合关键应用。
小型封装：63-BGA 封装使得该芯片占用的电路板面积较小，利于紧凑型设备设计，特别是在空间有限的应用场景下，无疑是一个显著优势。
应用领域
S34ML01G200BHI000 NAND Flash 存储器在多个领域展现出广泛的应用潜力，包括但不限于：
- 工业控制：可用于工控设备以存储程序代码和参数配置。
- 汽车电子：在汽车导航、信息娱乐系统及电子控制单元中发挥关键作用。
- 消费电子：采用在制造智能手机、平板电脑和其他移动设备中。
- 通信设备：在基站、路由器等网络设备中用于系统软件和配置数据的存储。
- 物联网设备：对数据存储和访问速度要求较高的智能传感器和设备。
总结
S34ML01G200BHI000 是一款高性能、低功耗的 NAND Flash 存储器，凭借其出色的性能、广泛的工作电压、极佳的温度适应性和小型封装设计，成为各种应用中的理想选择。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，该产品都凭借其高可靠性和性能优势赢得了市场的广泛认可。针对数据密集型应用的需求该器件无疑提供了可靠的解决方案。