直流反向耐压(Vr) | 800V | 平均整流电流(Io) | 1A |
正向压降(Vf) | 1.1V @ 1A | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 800V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 1A | 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 3µs | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 800V |
不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-214AC,SMA | 供应商器件封装 | SMA |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
S1K-13-F是由DIODES(美台)公司生产的一款高性能标准二极管,其广泛应用于各种电子电路中。凭借其出色的耐压、整流性能及低反向泄漏特性,S1K-13-F在供电、整流和保护电路等方面有着广泛的应用。
S1K-13-F具有以下重要规格:
这些参数使得S1K-13-F非常适合高电压、高频率的电子应用,尤其是在要求高温度稳定性的场合。
直流反向耐压(Vr)和整流能力: S1K-13-F的反向耐压高达800V,这使得它能够处理高电压应用,在保护电路和电源整流中表现出色。其1A的整流能力则保证了它能够轻松应对大部分中小功率的应用需求。
正向压降(Vf): 该二极管在1A条件下的正向压降为1.1V,这在维持较低的能量损耗的同时保证了良好的整流效率。相较于其他二极管,S1K-13-F的低压降意味着在大电流负载下,发热量较低,从而提高了系统的整体可靠性。
反向泄漏电流: S1K-13-F在800V时的反向泄漏电流为5µA,显示出其在高电压条件下的低漏电特性,这对延长电池寿命和减少能量损耗尤为重要。
反向恢复时间: 此器件的反向恢复时间为3µs,相较于标准类型二极管,其允许在快速开关应用中表现出更好的性能,降低了开关损耗,适用于高频电源转换器和开关电源等场景。
S1K-13-F二极管广泛应用于以下领域:
S1K-13-F采用SMA封装(DO-214AC形式),这是一种表面贴装型封装,适合自动化生产和小型化设计。该封装既确保了器件的稳定性,又能有效降低PCB占用空间,适应现代高密度电路板需求。
S1K-13-F是一款兼具高性能和可靠性的通用二极管。凭借其优异的电气特性和宽广的应用范围,使得该器件在各类电子设备和电源管理领域中均有着广泛应用。无论在线路保护、整流还是逆变应用上,其出色的耐压性能、整流能力以及低漏电特性都能满足多种高要求的设计需求。如果您正在寻求一款高效、可靠的二极管,S1K-13-F无疑是您的理想选择。