S1GB-13-F
S1GB-13-F参数
| 直流反向耐压（Vr） | 400V | 平均整流电流（Io） | 1A |
| 正向压降（Vf） | 1.1V @ 1A | 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 400V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 1A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 3µs | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 400V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB | 供应商器件封装 | SMB |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
S1GB-13-F手册
S1GB-13-F概述
产品概述：S1GB-13-F
一、引言
在现代电子设备中，二极管作为基础元件之一，广泛应用于整流、保护和信号调节等多个领域。S1GB-13-F是一款由DIODES（美台）公司生产的标准整流二极管，凭借其优异的性能参数与多样的应用场景，成为了客户在设计电路时的理想选择。
二、基本参数与特性
S1GB-13-F的主要技术规格包括：
- 直流反向耐压（Vr）：400V，适合高压应用
- 平均整流电流（Io）：1A，能有效地承载日常负载需求
- 正向压降（Vf）：1.1V @ 1A，确保低功耗的电流通过
- 速度：标准恢复特性，反向恢复时间（trr）为3µs，使其在高频应用中表现稳定
- 反向泄漏电流：在400V时为5µA，展现出卓越的电流隔离能力
- 电容特性：在4V、1MHz条件下电容为10pF，确保了信号完整性
- 工作温度范围：-65°C ~ 150°C，适应极端环境条件
三、封装与安装
S1GB-13-F采用表面贴装型封装（DO-214AA/SMB），这使得其在PCB设计中占用空间更小，便于高密度布线。此外，SMB封装也具有良好的热散发能力，能够满足高温环境中的正常工作需求。
四、典型应用
S1GB-13-F广泛应用于众多电子电路中，具体应用包括但不限于：
电源整流：在各种AC到DC电源转换器中，S1GB-13-F能够有效整流，将交变电流转换为稳定的直流电源，满足电器设备的电力需求。
电压保护：在瞬态电压抑制器及过压保护电路中，S1GB-13-F起到了旁路二极管的作用，确保下游组件的安全运行，防止由于瞬时高压造成的损坏。
信号检波：在无线通信及音频处理电路中，S1GB-13-F可用来作为检波器，帮助实现信号的整流和处理。
反向导通防护：在逆向电流可能引起损坏的电路中，S1GB-13-F能够有效限制反向电流的流动，保护敏感元件。
五、性能优势
高耐压特性：400V的反向耐压能力，使得S1GB-13-F能够在高压环境下可靠工作，特别适合电力电子及工业电源应用。
低温升：1.1V的正向压降在1A电流下相对较低，有助于减少器件在工作过程中的温升，提高系统整体工作效率。
优异的热管理能力：-65°C至150°C的工作温度范围，使其在极端气候条件下仍能稳定运行。
小型化设计：SMB封装使其便于在空间有限的设计中使用，尤其适合现代小型电子设备。
六、结论
综上所述，S1GB-13-F二极管凭借出色的电气性能和可靠的工作特性，成为了设计师在多种电路设计中的优选元件。无论是在电源转换、信号处理、还是电流保护方面，S1GB-13-F都能提供强有力的支持，是现代电子设计中不可或缺的一部分。选择S1GB-13-F，将为您的电路设计增添一份保障。