封装/外壳 | DO-219AB | 反向耐压VR(最大值) | 400V |
平均整流电流IF | 700mA | 正向压降VF | 1.1V@1A |
反向漏电流IR | 10µA@400V | 反向恢复时间(trr) | 1.8µs |
速度 | 标准恢复>500ns,>200mA(Io) | 二极管类型 | 标准 |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 400V | 电流 - 平均整流 (Io) | 700mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 1A | 反向恢复时间 (trr) | 1.8µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 400V | 不同 Vr、F 时电容 | 4pF @ 4V,1MHz |
供应商器件封装 | DO-219AB(SMF) | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
S07G-GS08 是一款由威世 (VISHAY) 生产的通用半导体二极管,采用DO-219AB(SMF)封装,专为承受高电压和电流需求的应用而设计。该二极管具备400V的反向耐压能力和700mA的平均整流电流,适用于各种中高功率电力转换和整流电路。此外,其正向压降为1.1V@1A,提供较低的电能损耗,提升整体电路效率。
反向耐压 (VR): S07G-GS08 的最大反向耐压值为400V,适合在高电压环境中安全运行。这使其成为开关电源、逆变器等应用场景中不可或缺的组件。
平均整流电流 (IF): 该二极管能够持续承载700mA的电流,满足大部分中等功率设备的需求,确保其在不超过额定电流的情况下稳定工作。
正向压降 (VF): 在1A的工作条件下,正向压降表现为1.1V,这使得其在高电流传输时依然保持较低的能量损耗,确保系统的高效能。
反向漏电流 (IR): 在400V的反向电压下,漏电流仅为10µA,这一低泄漏值可以有效维持电路的可靠性和稳定性,减少待机功耗。
反向恢复时间 (trr): S07G-GS08 的反向恢复时间为1.8µs,表明其在高频应用中具有较快的恢复速度,适合于开关频率较高的电路。
反向恢复速度: 具备标准恢复模式,转变速度较快,能够支持超过200mA的电流变化,适用于脉冲或快速开关的电路。
工作温度范围: 该二极管可以在极端条件下运行,其结温范围从-55°C 至 150°C,适应多种恶劣环境,保障电子设备的耐用性。
S07G-GS08 的设计使其能广泛应用于多个电子领域,主要应用场景包括但不限于:
S07G-GS08 作为一款高性能的标准恢复二极管,凭借其优越的电气特性和广域的应用能力,为现代电子设备的关键构建块之一。其在满足用户多样化需求的同时,展现出良好的经济性和可靠性。随着电子技术的不断发展,该二极管必将在更广泛的领域中发挥重要作用。