反向恢复时间(trr) | 500ns | 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 1.3V @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 500ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 1000V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
RS1M-13-F是一款高性能的快速恢复二极管,旨在满足现代电子应用中的高效能需求。该二极管的设计不仅具备高电压和高电流承受能力,还能在宽温度范围内稳定工作,适合多种工业和消费者电子设备的使用。
反向恢复时间(trr): RS1M-13-F的反向恢复时间为500纳秒,这使得该器件在快速开关操作中表现出色。它的快速恢复特性降低了开关损耗,特别是在高频率开关电源和射频应用中,其高效能得到了充分体现。
直流反向耐压(Vr): 最高承受电压可达1kV,使RS1M-13-F极为适合需要高电压工作的环境。例如,它可以在飞轮电路、逆变器和高压电源中有效保护其他元件免受高电压冲击。
平均整流电流(Io): RS1M-13-F能够承受1A的平均整流电流,使其能够在多个应用场景中工作,如电源适配器、电动工具及其他工业设备。
正向压降(Vf): 在流过1A电流时,二极管的正向压降为1.3V,这在高效电源设计中可以有效控制热量输出,提高整体效率。
电流 - 反向泄漏: 在达到最大反向电压(1000V)时,反向泄漏电流仅为5µA,这保证了在正常工作状态下该器件具有出色的绝缘性能,降低了功耗并改善了稳定性。
电容: 在4V和1MHz条件下,其输入电容为15pF,这意味着其在高频应用中的适用性非常好。
RS1M-13-F采用DO-214AC(SMA)封装,属于表面贴装类型。该封装设计不仅提高了安装的简单性,还能够有效降低PCB的元件占用面积,适合高密度电路板的需求。SMA封装的优良热导性可以增强器件在高功率工作时的散热性能,从而提高其可靠性和使用寿命。
该器件的工作温度范围为-65°C至150°C,能够适应各种极端环境。在汽车、军事和工业自动化等关键应用中,其极高的温度耐受性确保了二极管在各种条件下的稳定运行。这一特性使得RS1M-13-F在电子元件要求苛刻的场景中表现出色。
RS1M-13-F广泛应用于一些需要逆向电流保护和高效电流整流的场合:
RS1M-13-F是一款高效、可靠的快速恢复二极管,结合了出色的性能参数和广泛的应用场景。其快速恢复能力、低漏电流和高正向电流能力使其成为满足现代电子需求的理想选择。无论是在工业、汽车还是消费类电子产品中,RS1M-13-F都能为设计工程师提供了更加灵活和高效的解决方案。