PMGD290XN,115

PMGD290XN,115 产品概述

一、产品简介

PMGD290XN,115 是一款双 N 沟道场效应管 (MOSFET)，由 Nexperia（安世半导体）公司生产。该产品设计用于低电压和小功率应用，其特点是具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在多个电源管理和信号调理的场合提供高效的电流控制和开关功能。

二、基本参数

• 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 20V，适用于低至中等电压的电源管理应用。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 支持高达 860mA 的连续漏极电流，适合多种负载条件。
• 漏源导通电阻: 最大导通电阻为 350mΩ，测试条件为 200mA 和 4.5V 电压，确保在导通状态下能有效降低功耗。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 此参数为 1.5V（@ 250µA），表明在较低的栅压下就可以开启 MOSFET，适合逻辑电平驱动。
• 最大功率耗散: 410mW，能够在较高温度条件下安全运行，适应多种工作环境。
• 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C，适用于严苛的工业环境和特殊应用。

三、特性分析

PMGD290XN,115 的设计遵循了现代电子电路对低功耗、低电压驱动的需求，在各个方面都展现出优异的性能：

1. 优良的导通特性: 350mΩ 的导通电阻使其在低电流和高频应用下表现出色，能够有效地减少热量产生，提升工作效率。

2. 宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围使其能适应极端的环境，这对航空、汽车和工业系统尤其重要。

3. 小巧的封装设计: 采用 6-TSSOP 封装和 SOT-363 封装设计，能够轻松集成到小型和密集的 PCB 设计中，更加灵活地适应各种应用需求。

4. 快速开关速度: 在高频应用中，具有 0.72nC 的栅极电荷 (Qg) 和 34pF 的输入电容 (Ciss) 表明了其快速的开关特性，使得 PMGD290XN,115 可广泛应用于 PWM 变换器、开关电源和高频信号处理等场合。

四、应用场景

PMGD290XN,115 在多个应用领域中表现出色，主要包括但不限于：

• 电源管理系统: 适合用于开关电源、DC-DC 转换器、线性稳压器等。
• 驱动电路: 可用于驱动继电器、电机和其他负载设施。
• 信号调理: 在信号开关和逻辑电平转换中，可以作为开关元件有效工作。
• 消费电子: 非常适合需要小尺寸和轻量化的产品如移动设备和穿戴设备。

五、总结

PMGD290XN,115 是一款设计精良的双 N 沟道场效应管，融入了先进的技术和材料，确保其在低电压和小功率应用中的高效性与可靠性。借助其优异的电气特性和宽广的温度适应范围，PMGD290XN,115 已成为现代电子设计中一个不可或缺的元件，为工程师们提供了更多的灵活性与选择。这使其成为在下一个项目中优先考虑的优秀半导体器件。