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STF7N80K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 25W 800V 6A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.82按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.82
--
100+
￥3.05
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF7N80K5参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF7N80K5手册
STF7N80K5概述
STF7N80K5 产品概述
概述
STF7N80K5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件特别适用于高压、高功率的开关应用，如电源转换、马达驱动以及其它需要高效能和高可靠性的场合。其卓越的电流承载能力和低导通电阻使其在许多电气设计中表现出色，适合在高温和恶劣环境下使用。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 800V
- 连续漏极电流 (Id): 6A (在 T_C = 25°C 时)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 5V @ 100µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 1.2Ω @ 3A, 10V
- 最大功率耗散 (Pd): 25W (在 T_A = 25°C 时)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 驱动电压 (Vgs): 10V（最大 RdsOn，最小值）
封装与安装
STF7N80K5 的封装采用 TO-220-3 结构，提供良好的热管理能力和可靠性。通孔安装设计便于集成至各种PCB布局中。它的封装形式适合于需要良好散热性能的应用场合，这对于功率MOSFET在高功率电路中的应用至关重要。
应用场景
STF7N80K5 提供了800V的极限漏源电压和良好的导电性，使其特别适合以下应用：
开关电源: 在不同类型的开关电源设计中，STF7N80K5的高效率特点可有效降低能耗，提升整体系统效率。它能承受大电流和高电压的反转，提高开关电源的稳定性。
电动机驱动: 其满足电动机启动和运行中大电流的需求，广泛应用于伺服电机控制、变频器等设备。
逆变器: 在太阳能逆变器及其他新能源相关应用中，STF7N80K5 的高耐压特性和卓越的性能使其成为理想选择。
高压开关: 用于各种高压开关设备，确保在高电压应用中具备安全及可靠的表现。
性能优势
- 低导通电阻: 相比于传统的功率MOSFET，STF7N80K5 具有更低的导通电阻 (Rds(on)) 性能，这直接转化为更低的能量损耗和热量产生，提升了整体系统的效率。
- 高驱动电压: 支持最大控制栅电压 ±30V，便于与不同类型的驱动电路配合使用，简化了设计的复杂性。
- 高工作温度: 高达 150°C 的工作温度极限，使其适用于高温条件下的运作，增强了其在极端环境中的稳定性和耐用性。
结论
STF7N80K5 是一款兼具高耐压和高电流承载能力的功率 MOSFET，广泛适用于多种高效能电子应用。适用于需要高可靠性和成本效益的现代电源管理和控制系统。意法半导体凭借其强大的技术背景和市场口碑，使 STF7N80K5 成为设计师在选择高压 MOSFET 元件时的理想选择。通过利用这款 MOSFET，工程师能够实现长久稳定、性能优越的电气设备，从而增强产品的市场竞争力。