STF22NM60N
STF22NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 220mΩ @ 8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF22NM60N手册
STF22NM60N概述
STF22NM60N 产品概述
引言
在现代电子设备中，功率管理和转换是至关重要的，尤其是在高电压和高电流应用中。STF22NM60N 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计专门用于要求严苛的电力电子应用，例如开关电源、电机驱动和灯光控制等。该器件能够在广泛的工作条件下实现可靠的性能，并为系统设计提供了多种优势。
产品基本参数
STF22NM60N 功率 MOSFET 具有以下关键性能参数：
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 16A (25°C 时)
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 220mΩ @ 8A, 10V
- 最大功率耗散: 30W (在 Ta=25°C 时)
- 温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: TO-220FP
电气特性与应用
STF22NM60N 的设计使其在高电压和高开关频率的应用中表现出色。其 600V 的漏源电压使其适应于各种高压电源和整流器设计。连续漏极电流可达到 16A，为电源管理提供了足够的负载能力。此外，220mΩ 的导通电阻确保了低功耗损耗，使设备运行更加高效。
栅源阈值电压（Vgs(th)）为 4V，适用于低电压调节电路，便于直接与较低的控制电压兼容。高达 ±30V 的栅源最大电压（Vgs）则提供了广泛的控制范围，增强了系统的设计灵活性。该器件的栅极电荷（Qg）为 44nC，这使得其开关响应迅速，适合高频开关应用。
封装与安装
STF22NM60N 使用的 TO-220FP 封装类型显示了其设计在散热和安装上的便捷性。这种封装可以有效地在驱动电流较大的情况下散热，延长器件的使用寿命。其通孔安装设计使得它能轻松地集成进各种电路板和自动化安装系统中，提升了设计和生产效率。
应用场景
STF22NM60N 器件广泛适用于以下应用场景：
- 开关电源供应（SMPS）：用于高频PWM（脉宽调制）调制和整流阶段，提高效率和灵活性。
- 电机驱动：在工业和家用电器中对电机控制提供高效的解决方案，尤其在变频器应用中表现突出。
- 照明控制：在LED照明和其他照明系统中作为开关或调光元件，助力节能减排。
- 逆变器应用：在太阳能逆变器和电池充电器中，提供高效的电流转换。
总结
STF22NM60N 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其 600V 的电压等级、16A 的漏极电流、良好的导通电阻以及宽温工作范围而成为许多高效电力电子应用的理想选择。其优越的电气特性和 TO-220FP 封装设计使其在各种现代电子电路中得以广泛应用。工程师和设计师可以利用 STF22NM60N 的潜力，在产品设计中满足高效率、低损耗和高可靠性的需求。