STF13NK50Z
STF13NK50Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 480mΩ @ 6.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 6.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1600pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF13NK50Z手册
STF13NK50Z概述
STF13NK50Z 产品概述
1. 概述 STF13NK50Z 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，专为高电压和高电流应用设计。其核心参数为漏源电压（Vdss）高达 500V，连续漏极电流（Id）可达 11A（在 25°C 时测得），在功率管理、电源转换及其他电力电子设备中具有广泛应用。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id）: 11A（在 Tc=25°C 时）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 480mΩ @ 6.5A，10V
- 最大功率耗散: 30W（在 Ta=25°C 时）
- 驱动电压: 10V
- 最大 Vgs: ±30V
- 输入电容（Ciss）: 1600pF @ 25V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: TO-220-3
- 封装结构: TO-220FP
3. 主要特性与优点 作为一款高电压 N 沟道 MOSFET，STF13NK50Z 具有出色的电气性能和热性能，使其能够在极端条件下稳定运行。它最低可在 4.5V 的栅源阈值电压下导通，同时拥有较低的漏源导通电阻（Rds(on)为480mΩ），这为高效能耗和低发热设计提供了有力保障。此外，其最大功率耗散为30W，使其在高功率应用中具备足够的能力以应对不同的负载要求。
4. 应用领域 STF13NK50Z MOSFET 主要应用于以下领域：
- 开关电源: 为电源设备提供高效的开关控制。
- 变频器: 适合用于马达驱动和调速系统。
- 直流-直流转换器: 在电源转换中保证高效能和稳压。
- 逆变器: 在可再生能源（如太阳能）系统中，作为电力转换的关键信息。
- 电力管理: 应用在智能电网、数据中心等场合，进行高效能电源管理。
5. 封装及安装 STF13NK50Z 采用 V 的 TO-220-3 封装，设计用于通孔安装，便于散热，可方便地集成到各种电路板及系统中。TO-220 封装的良好热性能使得该器件能够在高功率条件下长时间工作而不易过热。
6. 可靠性与环境适应性 STF13NK50Z 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，这意味着它可以很好地适应各种严酷的工作环境。此外，其具有良好的抗干扰能力，满足现代电力电子设备对高可靠性的需求。在设计中考虑到的高耐压和高温度特性，使其适合于恶劣或不洁净的环境下流行。
7. 结论 STF13NK50Z 作为一款高电压、低导通电阻的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于电力电子领域。无论是开关电源、变频器、逆变器还是其他高功率应用，其性能均能够满足各种严苛环境的需求，帮助设计师和工程师实现高效、可靠的电源管理解决方案。