STD5N52K3
STD5N52K3参数
| 漏源电压（Vdss） | 525V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 2.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 545pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD5N52K3手册
STD5N52K3概述
产品概述: STD5N52K3
1. 产品简介
STD5N52K3 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它的设计目标是满足高压和中等电流应用的需求，尤其是在开关电源、工业驱动、电机控制和电源管理等领域中，Nature of Applications是其广泛使用的重要原因。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 525V
- 连续漏极电流（Id）: 4.4A（在芯片温度 Tc 为 25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.5Ω @ 2.2A，10V
- 最大功率耗散: 70W（Ta 为 25°C）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
这些参数显示了该器件的高效率和可靠性，适用于各种苛刻的工作环境。
3. 功能特性
STD5N52K3 拥有优异的电流承载能力和高电压耐受能力，能够在许多不同的电压和电流条件下稳定工作。它的最大功率耗散级别高达 70W，使得该器件能够有效处理高功率应用的需求。
此外，该器件的漏源导通电阻相对较低，可以显著降低开关过程中的功率损失，提高整体电路效率。这使其特别适合用于高效能需求和热管理设计复杂的应用场景。
4. 应用领域
STD5N52K3 广泛应用于电力转换和分配、开关电源（SMPS）、电机驱动、电厂自动化、逆变器和电源管理系统等。其高电压和中等电流的能力使其在需要高可靠性的行业应用中表现良好。
5. 封装和安装
该器件采用 DPAK（TO-252-3）封装形式，具有良好的散热性能，适合面向表面贴装技术（SMD）的应用。这种封装不仅能有效维持元件运行温度，还能简化 PCB 的布局设计。
6. 可靠性
STD5N52K3 的工作温度范围广泛，从极低的 -55°C 到高达 150°C，凭借高温和低温的适应能力，使其在各种恶劣环境下仍能保持高可靠性。同时，元器件内部的设计也考虑到了抗击电磁干扰（EMI）的特性，进一步提高了其在复杂电子系统中的应用稳定性。
7. 结论
STD5N52K3 是一款充分满足现代高性能电路设计需求的 N 沟道 MOSFET。凭借其出色的电气特性、坚固的封装以及多种应用场景，STD5N52K3 无疑是工程师和设计师在寻找高电压低电流解决方案时的重要选择。它的设计和制造都遵循了最高的行业标准，提供可靠和高效的性能，助力用户实现高效能电子产品的开发与应用。