STD150NH02LT4
STD150NH02LT4参数
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 24V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 24V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 93nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4450pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | DPAK |
STD150NH02LT4手册
STD150NH02LT4概述
产品概述：STD150NH02LT4
一、基本信息
STD150NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N通道MOSFET，采用TO-252-3（DPAK）封装。这款器件专为低导通电阻、高电流应用设计，其漏源极电压（Vdss）为24V，适合在多种电源管理和开关应用中使用。
二、封装与安装
STD150NH02LT4采用DPAK封装，具有2个引线及额外接片，适合表面贴装（SMT）技术。DPAK封装在散热性能方面具有良好的表现，使得器件能够在高电流工作时保持稳定。紧凑的封装设计也使得在电路板上的布局更加灵活。
三、关键电气参数
漏源电压（Vdss）: 此器件的最大漏源电压为24V，使其适用于低至中等功率的开关电源应用。
连续漏极电流（Id）: STD150NH02LT4在25°C的环境条件下，能够承受高达150A的连续漏极电流，这使得它非常适合用于高电流驱动和大功率开关的场合。
功率耗散: 器件的最大功率耗散为125W，确保其在高功率应用中不会出现过热问题，能够持续稳定运行。
四、导通电阻与驱动电压
在不同的工作条件下，STD150NH02LT4的导通电阻表现出优异的性能。在10V的栅极驱动电压（Vgs）下，最大导通电阻测得为3.5毫欧（@ 75A）。这种低导通电阻特性有助于减小开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的驱动电压范围为5V到10V，提供了灵活的驱动设计选项。
五、栅极特性
STD150NH02LT4的栅极启动电压（Vgs(th)）最大值为1.8V（@ 250µA），使得其在较低的栅极驱动电压下能够迅速达到导通状态。栅极电荷（Qg）为93nC（@ 10V），这也表明在切换时该器件的驱动要求不会过高，从而方便了高频率应用中的使用。
六、工作温度范围
该MOSFET的工作温度范围广泛，能够在-55°C至175°C的环境中工作，使其适用于高温环境下的工业应用，以及汽车电子等苛刻环境条件。
七、应用场景
STD150NH02LT4因其高电流、低电阻和宽广的工作温度适应性，适合应用于下述几类场景：
- 电源管理：作为电源开关，能高效控制电能的流动。
- DC-DC转换器：优化能效，提高工作效率，使设备更为节能。
- 电动汽车：用于电池管理系统，提供高效、高功率的开关解决方案。
- 工业控制：适用于电机驱动和可再生能源系统中的高电流切换需求。
八、总结
STD150NH02LT4是一款高性能、低导通电阻的N通道MOSFET，无论是在电源管理、DC-DC变换还是工业控制等领域，都展现出良好的性能与可靠性。它的高电流处理能力和宽温工作范围使其成为多种应用的理想选择，特别是在要求性能与效率并重的现代电子设备中，能够为设计工程师提供极大的灵活性与可靠性。