STD11N65M5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.47g
描述 :
场效应管(MOSFET) 85W 650V 9A 1个N沟道 TO-252
库存 :
291(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
4.84按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.84
--
100+
￥4.02
--
1250+
￥3.66
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD11N65M5参数
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 480mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 85W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 85W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD11N65M5手册
STD11N65M5概述
STD11N65M5 产品概述
一、产品简介
STD11N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能 N 沟道 MOSFET。该器件的主要特性包括：650V 的漏源电压（Vdss）、9A 的连续漏极电流（Id）、以及高达 85W 的功率耗散能力，适用于需要高电压和高功率处理的各种应用场景。其独特设计使其具备良好的导通电阻和高效的开关特性，成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。
二、重要参数
漏源电压（Vdss）: 650V
- 此参数指此 MOSFET 能够承受的最大电压，650V 的额定值使其适用于高电压电源、电机驱动及逆变器等应用。
连续漏极电流（Id）: 9A (Tc = 25°C)
- 在环境温度 25°C 时，设备能够持续承载的漏极电流为 9A，表明其在高负载条件下的可靠性。
栅源极阈值电压: 5V @ 250uA
- 此参数表明 MOSFET 开始导通所需的最低栅电压，为电路设计提供了灵活性。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 480mΩ @ 4.5A, 10V
- 低导通电阻有助于减少功耗，提升工作效率，使其特别适合用于开关电源和电机控制等高效应用。
最大功率耗散: 85W (Tc)
- 该器件的功率能力使其在多个领域的重载应用中都能表现出色。
工作温度范围: 150°C (TJ)
- 提高了器件的工作环境适应能力，使其在高温环境下依旧能够稳定工作。
安装类型: 表面贴装型 (SMD)
- TO-252 封装（DPAK）适合在现代电路板上节省空间，且提供了良好的散热性能。
三、应用领域
STD11N65M5 的特性使其广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源（SMPS）：在各种电源转换应用中，MOSFET 的快速开关特性和低损耗特性至关重要。
电机驱动：MOSFET 可用于控制直流电机及步进电机的驱动电路，提供高效能以及精确控制。
逆变器：该器件可用于光伏发电系统和UPS（不间断电源）中的逆变电路，实现高效能直流转交流的转换。
自动化及控制系统：在工业自动化设备和控制系统中，STD11N65M5 能够高效实现开关控制及功率管理。
四、结论
综上所述，STD11N65M5 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，凭借其650V 的高电压、9A 的高电流和85W 的高功率能力，成为现代电子设计中的理想元器件。意法半导体的先进制造技术及优质的产品性能，使得本器件在开关电源、电机驱动及逆变器等领域具有广泛而重要的应用前景。选择 STD11N65M5，意味着选择了高效、可靠的电源管理解决方案。