STD100N10F7
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 120W 100V 80A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.57按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.57
--
100+
￥3.8
--
1250+
￥3.46
--
2500+
￥3.2
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
STD100N10F7参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 8mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 120W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4369pF @ 50V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 40A，10V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 61nC @ 10V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 功率耗散（最大值） | 120W（Tc） | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| Vgs（最大值） | ±20V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD100N10F7手册
STD100N10F7概述
STD100N10F7 产品概述
概述
STD100N10F7 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。其设计旨在满足高电压和高电流的应用需求，具有卓越的导通特性和热性能，非常适合用于电源管理、功率转换和其他高效能的开关电路。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 80A（在 25°C 时，温度集成）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 250µA
- 最大功率耗散（Pd）的额定值: 120W（在环境温度 Ta=25°C 时）
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 8mΩ @ 40A，10V
- 输入电容（Ciss）: 4369pF @ 50V
应用场景
STD100N10F7 适用于各类高功率电子设备，这包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）: 用于高效的电压转化和能量管理，优化电源系统的效率和稳定性。
- 电机驱动: 在电机控制和驱动应用中，利用其高电流承载能力，提升电机驱动效率。
- 电池管理: 在电池充放电过程中，进行高效的电流切换，保护电池和延长其使用寿命。
- DC-DC 转换器: 在转换过程中提供高效率，尤其是在降压和升压转换器中扮演关键角色。
性能优势
- 低导通电阻: 8mΩ 的导通电阻使其在大电流下的损失降至最低，从而降低热量产生，提高整体系统效率。
- 宽工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其适用于极端环境，能够承受高温和低温条件下的运作。
- 高功率处理能力: 最大功率耗散额定值为 120W，确保其在高负载下依然可靠工作。
- 直接驱动能力: 该元器件可用 10V 的驱动电压直接控制，方便与各种控制电路集成。
封装和安装
STD100N10F7 采用 DPAK (TO-252-3) 封装，具有良好的热散能力和较小的尺寸，适合表面贴装，便于安装和生产。其双引线加接片设计提供出色的电气性能和热管理能力，适合密集的电路板设计。
结论
STD100N10F7 是一款高度可靠的 N 沟道 MOSFET，设计用于高效的电力管理和功率控制应用。得益于其优异的电气特性和广泛的工作温度范围，这款 MOSFET 适合多种应用，成为电力电子工程师和设计师在构建高效能系统中的理想选择。通过利用该元器件，将能够有效提升设备的效率，优化能耗，并在各种复杂的电流条件下保持稳定的性能表现。无论在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，STD100N10F7 均能提供良好的解决方案。