STB8NM60D
STB8NM60D参数
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 380pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
STB8NM60D手册
STB8NM60D概述
STB8NM60D 产品概述
概述
STB8NM60D 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 型 MOSFET，采用 D²Pak（TO-263-3）封装设计，具有优异的电气性能和出色的热管理能力。这款 MOSFET 的主要特点是其最高 600V 的漏源极电压（Vdss）、连续漏极电流 8A（在 25°C 的条件下），以及最大功率耗散能力高达 100W（Tc）。其广泛的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）使其适用于各种苛刻的应用环境。
封装与安装
STB8NM60D 采用 D²Pak 封装，适合表面贴装（SMT）技术。这种封装形式不仅占用空间小，而且可以有效散热，从而提高整体电路的可靠性。D²Pak 封装特别适用于需要更高功率与性能的应用，例如电源管理、逆变器和马达控制等领域。
电气特性
作为一种 N-通道 MOSFET，STB8NM60D 在 600V 的档次上展示了优秀的电流处理能力和导通电阻性能。其在 2.5A、电压 10V 时的最大导通电阻为 1Ω，充分满足高效率开关应用的要求。此外，该器件在栅极电压（Vgs）下的阈值电压（Vgs(th)）最大值为 5V（在 250µA 时），确保快速的开启和关闭响应。
该器件的栅极电荷（Qg）最大值为 18nC @ 10V，反映了其快速驱动能力，并降低了开关损耗。这使得 STB8NM60D 在高频开关应用中表现出色。
热性能
STB8NM60D 支持高达 100W 的功率耗散能力，这使得它非常适合在高温工作条件下使用。它的热管理设计有效地降低了芯片内部的温度，提高了器件的可靠性和使用寿命。
应用场景
由于其高电压、高电流和低导通电阻的特性，STB8NM60D 在多个领域具有广泛的应用，包括但不限于：
电源转换器：在 SMPS（开关电源）中，MOSFET 可用于高效的功率切换，从而提升整体电源效率。
逆变器：在太阳能逆变器和其他 DC-AC 转换器中，STB8NM60D 可以实现高效的能量转换，确保稳定的输出电压和频率。
电机驱动：这种高效的 N-通道 MOSFET 非常合适用作电机控制中的开关元件，能够快速响应控制信号，提升电机运行效率。
汽车电子：在现代汽车电气系统中，这种 MOSFET 可以用于高压和高功率的应用，如电池管理系统和电动驱动系统。
总结
STB8NM60D 是一款高效可靠的 N 型 MOSFET，凭借其高电压和电流特性、出色的热管理能力以及表面贴装设计，适合用于多个应用场合。无论是在电源管理、马达控制还是在高频开关应用中，它都能为设计师提供必需的性能和灵活性。意法半导体在该产品的设计上注重了高效率和高可靠性，使其成为市场上值得信赖的选择。