STB55NF06T4
STB55NF06T4参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 27.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 110W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 27.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
STB55NF06T4手册
STB55NF06T4概述
产品概述：STB55NF06T4 N沟道MOSFET
一、产品简介
STB55NF06T4是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有优异的电气特性，专为高电压和高电流应用而设计。该器件具备60V的漏源电压（Vdss）和50A的连续漏极电流（Id），使其非常适合电源管理、电机驱动、开关电源等多种应用场景。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：50A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ 27.5A, 10V
- 最大功率耗散：110W（Tc=25°C）
- 驱动电压：10V（用于最佳导通状态）
- 最大栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：1300pF @ 25V
- 工作温度范围：-55°C至175°C
- 封装类型：D2PAK（TO-263-3，D²Pak(2引线 + 接片)）
该MOSFET的特性使其在各种功率应用中具有极高的效率和可靠性，适合在恶劣环境下长时间工作。
三、应用场景
STB55NF06T4广泛应用于以下几个领域：
电源管理：在开关电源等电源管理电路中，该MOSFET可以作为主开关元件，提供高效的能量转换和管理。
电机驱动：由于其优异的导通电阻和较高的电流处理能力，STB55NF06T4非常适合用于直流电机和无刷电机的驱动应用中。
电信和数据通信：在数据中心和通信设备中，该MOSFET可以用作高频开关，以提高系统的整体效率和性能。
LED照明：在智能LED驱动模块中，STB55NF06T4能够提供稳定的驱动电压和电流，实现可靠的LED照明解决方案。
四、设计优点
优异的热性能：该MOSFET的最大功率耗散为110W，确保在高负载条件下也能保持较低的工作温度，延长器件的使用寿命。
高导通效率：18mΩ的漏源导通电阻使其在导通状态下的能量损耗降到最低，提高整体电路的效率。
宽工作温度范围：-55°C至175°C的工作温度范围适应了多种工业应用，保证在极端环境中也能稳定工作。
方便的封装：D2PAK封装设计使得STB55NF06T4易于表面贴装，方便PCB设计和大规模生产。
五、总结
STB55NF06T4 N沟道MOSFET是一款具备高电流承载能力和低导通电阻的优质器件，适用于各种要求高效电力转换和管理的应用。其广泛的应用范围与卓越的电气性能，使得其在电子设备中成为一个理想的开关元件。通过选择STB55NF06T4，设计工程师可以为其产品带来更加稳定和高效的性能，进而满足客户的多样化需求。无论是在电源管理还是电机驱动领域，该MOSFET都能展现出其独特的价值，是一款值得推荐的高可靠性元器件。