STB30NF10T4
STB30NF10T4参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 115W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1180pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 115W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
STB30NF10T4手册
STB30NF10T4概述
STB30NF10T4 产品概述
STB30NF10T4 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），广泛应用于电力电子和开关电源等领域。这款MOSFET具备高漏源电压和优异的导通性能，是高效电源管理解决方案的理想选择。
主要规格参数
漏源电压（Vdss）: STB30NF10T4的最大漏源电压为100V，适合许多电源管理和开关应用，为高电压系统提供了可靠的解决方案。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，STB30NF10T4能够连续承载35A的电流，令其在重负载条件下仍能稳定运行（Tc条件下）。这使得该元件特别适合高负载需求的应用，例如电动机驱动和功率转换器。
导通电阻（Rds On）: 该MOSFET在15A的电流条件下，其漏源导通电阻为45mΩ，确保在导通状态下的能量损耗最低。这对于提升系统的整体效率至关重要。
栅源电压阈值（Vgs(th)）: 栅源阈值电压最高为4V（在250µA的测试电流下），使得器件能够在低电压驱动下实现快速开关，适配多种控制电路。
栅极电荷（Qg）: 栅极电荷最大值为55nC，表明该MOSFET的驱动响应较快，适合高频率开关应用，能有效提升整体系统的开关效率。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为1180pF（在25V条件下），支持快速开关操作并保持低开关损耗，在快速启停的电源应用中尤其重要。
工作温度范围: STB30NF10T4可以在-55°C至175°C的极端温度范围内工作，适合严苛环境下的应用，如航空航天和汽车电子。
功率耗散: 最大功率耗散为115W，表明在良好的散热条件下，能够有效地处理高功率负载，确保器件在长时间运行下的可靠性。
封装与安装
STB30NF10T4采用D2PAK封装（TO-263-3），具备两个引脚以及接片。表面贴装设计使其能方便地集成于各种电子产品中，特别是在空间受限的设计中。D2PAK封装的散热性能良好，帮助提升了MOSFET的散热能力和整体稳定性。
应用领域
由于其高电压、高电流及优秀的导通特性，STB30NF10T4适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：适合开关电源、DC-DC转换器等各种电源电路。
- 电动机控制：广泛用于电动机驱动电路中，如变频器、步进电机驱动等。
- 汽车电子：满足汽车行业对元件高可靠性和宽温度工作的需求，适合应用在电动驱动、功率分配等场合。
- 工业自动化：可用于高效的自动化设备与控制系统中。
结论
STB30NF10T4以其优异的性能参数和适应性，在电子元器件市场中占据了一席之地。无论是在高频开关电源还是在严苛环境下的应用，它都能提供极高的可靠性与效率，是高性能电源解决方案中不可或缺的元件。选用STB30NF10T4，将为您的设计带来更高的性能和竞争优势。