SQ2310ES-T1_GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-236
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 20V 6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
91(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
1.93按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.93
--
100+
￥1.55
--
750+
￥1.38
--
1500+
￥1.3
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SQ2310ES-T1_GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 30mΩ @ 5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 485pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SQ2310ES-T1_GE3手册
SQ2310ES-T1_GE3概述
SQ2310ES-T1_GE3 产品概述
概述
SQ2310ES-T1_GE3 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，专为低压应用而设计，其主要参数包括最大漏源电压 Vdss 为 20V，最大连续漏极电流 Id 为 6A（在 25°C 时燃气温度下操作），以及低导通电阻，最大值可达 30mΩ（在 5A 和 4.5V 的驱动电压下）。这种设计使得 SQ2310ES-T1_GE3 能够在许多电子应用中实现高效的电源控制和信号开关。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 最大可承受电压为 20V，适合低电压调节和开关应用。
- 连续漏极电流 (Id): 额定电流为 6A，能支持高电流负载，尤其适用于电源管理和电机驱动。
- 导通电阻 (Rds(on)): 仅为 30mΩ @ 5A, 4.5V，表明在大电流操作时的热效应较小，有助于降低能量损耗与发热。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最小 1V，意味着只需较小的驱动电压便可开启 MOSFET，提高了在低电压条件下的工作灵活性。
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 8.5nC @ 4.5V，此参数对 MOSFET 的开关速度影响较大，较低的栅极电荷有助于实现更快的开关频率。
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C，广泛的工作温度范围使其适用于各种温度敏感的应用，包括汽车和工业电子。
封装与安装
SQ2310ES-T1_GE3 采用 TO-236 (SOT-23) 表面贴装封装，尺寸紧凑，方便在高密度电路板上进行布置。TO-236 封装确保了良好的热性能和电气性能，适合自动化设备和密集的电子设计应用。
应用场景
此 MOSFET 是否广泛应用于多种电子电路，如：
- 电源管理: 在开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中实现高效的切换控制。
- 电机驱动: 可用于直流电动机和步进电机的驱动电路。
- 电池管理: 在电池充放电过程中控制电流的流动，以延长电池寿命。
- 通信设备: 用于信号开关和调制解调器中，以确保信号的传递和处理。
竞争优势
SQ2310ES-T1_GE3 由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产，其产品以高质量和稳定性著称。通过合理的设计与工艺控制，该产品在性能、热管理和可靠性方面具有显著优势。
总结
SQ2310ES-T1_GE3 是一款设计精良、性能优异的 N 通道 MOSFET，适用于多种低压和高电流应用。其优越的参数配置和 VISHAY 提供的强大品牌背景使得该产品在行业中非常具有竞争力。无论是新设计还是现有电路的替换，SQ2310ES-T1_GE3 都能为设计师提供理想的解决方案。