SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3 产品概述

概述

SISH402DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由知名半导体制造商 VISHAY（威世）生产。此款 MOSFET 具备出色的电气特性，特别适用于高效率的功率转换和开关应用。产品采用表面贴装型（SMD）封装，提供高电流承载能力和低导通电阻，使其在诸多应用中表现优异。

核心参数

• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 导通电阻 (Rds(on)): 最多 6 毫欧 @ 19A, 10V，表明此器件在高电流环境下能够有效减少功耗。
• 驱动电压: 最小 4.5V，最大 10V，适应多种驱动电路。
• 漏极连续电流 (Id): 19A（环境温度 Ta），35A（冷却条件 Tc），突显其良好的电流承载能力。
• 输入电容 (Ciss): 最大 1700pF @ 15V，适用于快速开关应用。
• 门极至源极电压 (Vgs): 最大 ±20V，适合多种电路设计。
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C（瞬态结温），适应严酷的工作条件。
• 栅极电荷 (Qg): 最大 42nC @ 10V，这意味着其在开启和关闭过程中的反应速度较快，有效提升了驱动效率。
• 漏源电压 (Vdss): 30V，适合低压电源管理应用。
• 功率耗散: 最大 3.8W（环境温度 Ta），52W（冷却条件 Tc），提供了良好的热管理能力。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.2V @ 250µA，确保在低电压下即可开启。

应用领域

SISH402DN-T1-GE3 在各类电子产品中均有广泛应用，特别是在如下几种场合：

1. DC-DC 转换器: 此 MOSFET 的低 Rds(on) 和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器，可以大幅提高转换效率，减少能量损失。

2. 电机驱动: 由于其高电流适应性，SISH402DN-T1-GE3 可用于驱动直流电机和步进电机，有助于实现高效的电动机控制。

3. 开关电源: 产品的快速开关特性与低输入电容使其成为高频开关电源中的理想选择。

4. 电池管理系统: 在电池充放电过程中，这款 MOSFET 能有效控制电流，提高充电效率和系统寿命。

5. 消费电子: 在智能家居和手持设备中，MOSFET 可用于高效的功率控制和信号开关，有助于实现小型化和高效率的电子设计。

结论

总之，SISH402DN-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性，适应多个电源和信号控制应用。其优异的导通电阻、宽广的工作温度范围以及高电流承载能力，使其成为各种电力电子设计中的理想组件。VISHAY 在半导体行业中的声誉与此器件的高可靠性、长期稳定性更是进一步提升了其市场竞争力。无论是在专业工程师还是业余爱好者的项目中，SISH402DN-T1-GE3 必将展现出其卓越的性能与价值。