注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SIS890DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.176g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 100V 30A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.58按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.58
--
100+
￥2.98
--
750+
￥2.77
--
1500+
￥2.63
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIS890DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 23.5mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.7W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 802pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS890DN-T1-GE3手册
SIS890DN-T1-GE3概述
SIS890DN-T1-GE3 产品概述
一、产品基本信息
SIS890DN-T1-GE3 是威世(VISHAY)公司推出的一款 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)，它采用 PowerPAK® 1212-8 的封装形式，设计用于中高压功率开关、逆变器和电源管理等领域。该器件具有出色的电气性能与热特性，适用于高可靠性应用。
二、电气特性
该 MOSFET 的主要电气参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：100V，表示该器件所能承受的最大漏极到源极的电压。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，SIS890DN-T1-GE3 的连续漏极电流可达 30A，适合用于较高电流应用。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该产品在 250µA 的条件下，其阈值电压为 3V，这意味着驱动电路只需超过此电压即可使 MOSFET 导通。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10A 和 10V 驱动条件下，导通电阻为 23.5mΩ，具有非常低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。
- 最大功率耗散：在环境温度为 25°C 时，最大功率可达到 3.7W，而在更高的结温条件下，最大功率耗散可达到 52W，充分展示了其热管理能力。
三、其他参数
- 驱动电压：该 MOSFET 的驱动电压分为两个档位，分别为 4.5V 和 10V，这对于不同的电路设计较为友好，提供了更大的灵活性。
- 栅极电荷 (Qg)：在 10V 驱动下，栅极电荷最大值为 29nC，这有助于减少开关损耗，适合快速开关应用。
- 输入电容 (Ciss)：在 50V 工作条件下，输入电容最大值为 802pF，这对高频开关应用提供了良好的适配性。
四、工作温度及封装
该器件能够在-55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作，适应于各种严苛的环境条件。同时，它采用 PowerPAK® 1212-8 的表面贴装型封装，拥有良好的热性能和空间利用率，使其在现代电子设备中易于集成。
五、应用场景
SIS890DN-T1-GE3 的设计可以广泛应用于以下领域：
- 电源管理：适用于高效率开关电源(PSU)和DC-DC 转换器。
- 汽车电子：在电动汽车、混合动力汽车的功率转换电路中，我们可以找到它的身影。
- 变频器：该 MOSFET 适合用于电动机驱动、逆变器等变频控制应用。
- 工业设备：高效能的电源模块和其他工业自动化设备也能利用该芯片的特性。
六、总结
SIS890DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围及可靠的热管理能力，使其成为现代电功率管理和转换应用中的优选器件。无论是在电源设计、汽车电子还是工业自动化领域，这款器件均表现出色，带来了更高的效率与性能，非常适合各类高效能电子设备的应用需求。