SIR872ADP-T1-GE3
SIR872ADP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 150V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 53.7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1286pF @ 75V | 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SIR872ADP-T1-GE3手册
SIR872ADP-T1-GE3概述
SIR872ADP-T1-GE3 产品概述
产品简介
SIR872ADP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效能、低功耗的电子应用而设计。该器件具有优异的电气特性和广泛的工作温度范围，适用于电源管理、开关电源、马达驱动及高频应用等领域，能够满足现代电子产品对高效率和高可靠性的要求。
关键参数
封装与种类：
- 封装/外壳：PowerPAK® SO-8
- FET 类型：N 沟道
- 安装类型：表面贴装（SMT）
电气特性：
- 漏源极电压 (Vdss)：150V
- 栅源电压 (Vgss)：±20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：53.7A (Tc)
- 驱动电压：7.5V 至 10V（最大 Rds On，最小 Rds On）
- 导通电阻 (Rds(on))：18 毫欧 @ 20A，10V
- 阈值电压 (Vgs(th))：4.5V @ 250µA
- 栅极电荷(Qg)：47nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)：1286pF @ 75V
功耗与温度特性：
- 功率耗散：6.25W（Ta），104W（Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
应用领域
SIR872ADP-T1-GE3 的高功率处理能力和低导通电阻使其非常适合以下应用：
开关电源： 由于其优异的电气特性，该 MOSFET 可用于高效率的开关电源回路，支持从电源到负载的高效能传输。
电机驱动：该器件能够处理较高的漏极电流，适用于各类小型电机的驱动，如步进电机和直流电机，实现快速响应和高效能控制。
DC-DC 转换器：在降压（Buck）或升压（Boost）应用中，SIR872ADP-T1-GE3 能够提供极低的导通损耗，提高整体转换效率。
高频开关应用：随着开关频率的提高，该器件的较低栅极电荷使其适合于高频应用，降低了开关损耗和EMI（电磁干扰）。
电源管理解决方案：基于其广泛的工作温度范围和良好的热性能，SIR872ADP-T1-GE3 适合各类电源管理解决方案，从便携设备到工业设备都能找到适用场景。
优势与特点
高可靠性： SIR872ADP-T1-GE3 在-55°C 到 150°C 的宽工作温度范围内运行，适用于极端环境和高可靠性要求的应用场景。
低热阻： 该器件的设计提供了极低的热阻，有助于在高功率运行时减少温度升高，增强了整体可靠性。
强的电流承载能力： 提供高达53.7A的漏极电流，适合需要高峰流量的应用。
优异的导电性： 低导通电阻确保电子计量的低能耗，提升整体设计的能效。
总结
SIR872ADP-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的性能参数和广泛的应用前景，成为现代电子产品设计中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动还是高频电路中，这款器件都能满足设计工程师对于性能和效率的严格要求。威世作为全球知名的半导体制造商，以其卓越的制造工艺和技术支持，确保 SIR872ADP-T1-GE3 的品质和用置信赖性，是电子产品设计的重要组成部分。