SIR462DP-T1-GE3
SIR462DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.9mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 4.8W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.9 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1155pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta），41.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR462DP-T1-GE3手册
SIR462DP-T1-GE3概述
SIR462DP-T1-GE3 产品概述
SIR462DP-T1-GE3 是一款由国际知名半导体制造商 VISHAY（威世）推出的 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），主要用于高效能电子电路中的电源管理和信号开关。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，这款 MOSFET 特别适合用于各种工业和消费类电子设备。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）: 30A
- 导通电阻（Rds(on)）: 7.9mΩ @ 20A, 10V
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 最大功率耗散: 4.8W（在环境温度 Ta = 25°C）; 41.7W（在结温 Tc 条件下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装和安装
SIR462DP-T1-GE3 采用的是 PowerPAK® SO-8 封装。这一封装形式具有小型化和轻量化的优点，适合在空间受限的应用中使用，同时也确保了良好的热性能和散热能力。表面贴装的设计使得它可以方便地应用在各种现代电路板中，简化了生产过程并降低了制造成本。
结构与工作原理
作为一款 N 沟道 MOSFET，SIR462DP-T1-GE3 在电路中主要起到开关作用。当施加在栅极（G）上的电压（Vgs）超过栅源极阈值电压（Vgs(th)）时，MOSFET 会导通，允许电流从漏极（D）到源极（S）流动，实现开关的闭合。而在 Vgs 低于 Vgs(th) 时，器件关闭，电流停止流动。
该器件的关键性能之一是其低导通电阻（Rds(on)），在高电流（如 20A 和 10V 时）情况下仅为 7.9mΩ。这样低的电阻值不仅可以减少功率损耗，还可以提高整体能效。这使得 SIR462DP-T1-GE3 在高效电源管理和DC-DC转换器等要求严格的应用中表现尤为出色。
驱动与应用场景
SIR462DP-T1-GE3 的驱动电压要求为4.5V至10V，这使得它能够与大多数常见的微控制器和数字信号处理器兼容。其高栅极电荷（Qg max 为 30nC @ 10V）表明在高速开关应用中具有较低的开关损耗，适用于快速切换的工作环境。
该 MOSFET 可广泛应用于电子设备的各种场合，包括：
- 电源管理系统：如 DC-DC 转换器、LED 驱动器等。
- 电机控制：用于控制无刷电机（BLDC）和步进电机。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他形式的可再生能源应用中。
- 负载开关：用于低侧或高侧开关的负载切换。
总结
综上所述，SIR462DP-T1-GE3 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，适合用于各种电源管理和开关应用。其低导通电阻、广泛的工作温度范围和优异的功率处理能力，使得它在现代电子设计中无疑是一个非常理想的选择。VISHAY 作为行业领先的半导体制造商，为该产品提供了良好的技术支持和质量保证，加之其合理的市场定位，使得 SIR462DP-T1-GE3 成为工程师们在开发新产品时极具吸引力的选择。