SIHP24N65E-GE3
SIHP24N65E-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 650V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 145 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 122nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2740pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
SIHP24N65E-GE3手册
SIHP24N65E-GE3概述
SIHP24N65E-GE3 产品概述
产品名称： SIHP24N65E-GE3
品牌： VISHAY（威世）
封装类型： TO-220-3
FET类型： N通道MOSFET
一、芯片特性
SIHP24N65E-GE3是一款高性能的N通道MOSFET，与市场上同类产品相比，其在高压、大电流应用中展现出了优越的性能。该器件具有650V的漏源极电压（Vds），适合各种需要承受高电压的电子电路，包括开关电源、电机驱动和功率转换等领域。其连续漏极电流（Id）高达24A，使其能够有效应对涉及重负载的应用。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 650V 这使得SIHP24N65E-GE3在高压环境下运行稳定，适用于工业级电源和电机控制等应用。
栅源电压（Vgss）: ±30V 提供了灵活的驱动电压范围，有助于简化电路设计。
导通电阻（Rds(on)）: 最大145毫欧（@12A, 10V） 低导通电阻的特性使得其在保持高效率的同时，减少了能量损失和发热，这对于功率管理和热管理至关重要。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大4V（@250µA） 表明该设备可在相对较低的栅极电压下导通，提高了开关的灵敏性和控制性。
栅极电荷（Qg）: 最大122nC（@10V） 较低的栅极电荷可以促使开关速度更快，有助于提升整机性能。
输入电容（Ciss）: 最大2740pF（@100V） 低输入电容有利于提高开关频率，减少开关损耗，从而实现更高的工作效率。
功率耗散（最大）: 250W 该器件能够在高功率环境下安全运行，适应各种工业应用的需求。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C 广泛的工作温度范围确保其适用于各种严苛的系统环境，提升设备的稳定性和可靠性。
三、应用场景
SIHP24N65E-GE3 MOSFET广泛适用于以下领域：
高效开关电源 在开关电源设计中，低导通电阻和高漏源电压特性使该器件能够有效提升电源转换效率。
电机驱动 对于各类电机驱动应用，该MOSFET能够处理大电流，并在快速开关下降低损耗，确保电机平稳运行。
功率管理 在各种功率管理系统中，SIHP24N65E-GE3的优秀散热能力和高功率处理能力使其成为理想选择。
逆变器 在可再生能源领域，尤其是太阳能逆变器中，利用其高压特性使得能量转换更为高效。
四、优势总结
SIHP24N65E-GE3作为一款高性能的N通道MOSFET，凭借其650V的高漏源电压、24A的高电流能力及优良的导通电阻特性，非常适合在需要高功率、高效率和高可靠性的电子设备中应用。此外，该器件的广泛工作温度范围和高功率耗散能力，使得其在复杂和严苛的环境下运行也能保持稳定。
总之，VISHAY公司的SIHP24N65E-GE3是一个极具竞争力的选项，无论是在工业应用、功率转换还是先进的电力电子设备中，都是值得信赖的选择。